[发明专利]半导体结构及测试方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

至少一个硅通孔，所述硅通孔设置于所述衬底中，且与第一探测垫电性连接；

至少一个接触结构，所述接触结构的底部延伸到所述衬底内部，且与第二探测垫电性连接；

所述第一探测垫和所述第二探测垫位于所述衬底上方且相邻间隔设置；

掺杂层，所述掺杂层位于所述衬底内部，且在所述接触结构的底部与所述接触结构电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构包括：位于中心的导电层、环绕包裹所述导电层的阻隔层、以及环绕所述阻隔层的绝缘层；

所述阻隔层的底部直接与所述掺杂层接触，所述导电层的顶部通过中间连接层与所述第二探测垫电性连接。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层包括相互连接的第一掺杂层和第二掺杂层；

所述第一掺杂层位于所述第二掺杂层和所述接触结构之间；

所述第二掺杂层包括至少一个掺杂部，所述掺杂部的横截面积由所述第一掺杂层至所述第二掺杂层的方向上先增大后减小。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个掺杂部中包括首尾相接的至少两个掺杂部。

5.根据权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一掺杂层在所述衬底表面上的正投影面积，小于所述第二掺杂层在所述衬底表面上的正投影面积；

所述导电层在所述衬底表面上的正投影面积，小于所述第一掺杂层在所述衬底表面上的正投影面积。

6.根据权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂层靠近所述硅通孔一侧的掺杂浓度，高于所述第二掺杂层远离所述硅通孔一侧的掺杂浓度。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，

绝缘层在所述衬底表面上的正投影位于所述第二掺杂层在所述衬底表面上的正投影的内部，且所述第二掺杂层在所述衬底表面上的正投影的中心与所述硅通孔的距离，小于所述绝缘层在所述衬底表面上的正投影的中心与所述硅通孔的距离。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，至少一个掺杂部向靠近所述硅通孔的一侧延伸，且所述硅通孔在所述衬底表面上的投影，与向所述硅通孔的一侧延伸的掺杂部在所述衬底表面上的投影至少部分重叠；所述硅通孔与所述掺杂部不接触。

9.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述硅通孔的数量为至少两个，至少两个硅通孔间隔设置；

每个所述硅通孔对应于至少一个接触结构；

所述至少两个硅通孔中的第一硅通孔与其对应的至少一个接触结构之间的距离为第一距离；

所述至少两个硅通孔中的第二硅通孔与其对应的至少一个接触结构之间的距离为第二距离；所述第一距离与所述第二距离不同。

10.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述硅通孔包括位于中心的导电层、以及环绕包裹所述导电层底部和侧壁的绝缘层。

11.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构位于衬底内部的长度在第一预设范围内。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，第一预设范围的最小值为所述硅通孔位于所述衬底内部的长度的90％、最大值为所述硅通孔位于所述衬底内部的长度。