[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

芯片单元，所述芯片单元包括若干第一芯片，各所述第一芯片上设有多个用于接收不同控制信号的焊盘；

重布线层，位于所述芯片单元上，包括若干底层金属线，各所述底层金属线用于传输不同的控制信号，各所述底层金属线与对应接收相同控制信号的焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片单元中第一芯片的数量不大于一个曝光单元对应的第一芯片的数量。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述底层金属线传输的控制信号包括数据信号、电源信号、接地信号及数据选通信号中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片包括主存储芯片、辅助存储芯片或逻辑芯片。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一晶圆，所述第一晶圆内具有若干个所述芯片单元。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述重布线层还包括：

若干顶层金属线，各所述顶层金属线用于传输不同的控制信号，各所述顶层金属线与对应传输相同控制信号的底层金属线连接。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片的功能面与所述重布线层位于所述第一晶圆的同一面。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第二晶圆，与所述第一晶圆远离所述重布线层的一面连接，所述第二晶圆内具有第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一导电结构，所述第一导电结构位于所述第一晶圆内，所述第一导电结构的两端分别与所述第二芯片、所述第一芯片电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片的功能面位于所述第二晶圆远离所述第一晶圆的一面；还包括：

第二导电结构，所述第二导电结构位于所述第二晶圆内，且分别与所述第一导电结构、所述第二芯片电连接。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第三晶圆，与所述第二晶圆远离所述第一晶圆的一面连接，所述第三晶圆内具有第三芯片，所述第三芯片与所述第二芯片电连接。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第三晶圆与所述第一晶圆之间的所述第二晶圆的数量不小于2，各所述第二晶圆之间相互连接，且各所述第二晶圆内的第二芯片之间电连接。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

微凸点，位于所述第三晶圆与所述第二晶圆之间，用于电连接所述第三芯片与所述第二芯片。

14.根据权利要求11-13任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片、所述第三芯片包括主存储芯片或辅助存储芯片。

15.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆内具有芯片单元，所述芯片单元包括若干第一芯片，各所述第一芯片上设有多个用于接收不同控制信号的焊盘；

于所述芯片单元上形成重布线层，所述重布线层包括若干底层金属线，各所述底层金属线用于传输不同的控制信号，各所述底层金属线与对应接收相同控制信号的焊盘电连接。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述芯片单元中第一芯片的数量不大于一个曝光单元对应的第一芯片的数量。