[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

第一导电层；

堆叠体，其包含在所述第一导电层上方交替地逐一堆叠的多个第二导电层与多个第一绝缘层，并且包含台阶部分，在所述台阶部分中所述多个第二导电层成梯台；

多个第一柱，其布置在存储器区域中，所述存储器区域在与所述堆叠体的堆叠方向交叉的第一方向上远离所述台阶部分，每一第一柱包含穿透所述堆叠体并与所述第一导电层连接的半导体层，并且在与所述多个第二导电层的至少一部分的相交点处形成存储器单元；及

板状部分，其包含第三导电层，所述第三导电层在所述堆叠体中沿所述堆叠方向和所述第一方向从所述台阶部分连续地延伸到所述存储器区域，所述板状部分在与所述堆叠方向和所述第一方向两者交叉的第二方向上分割所述堆叠体，其中

所述板状部分在所述台阶部分中包含在所述第一方向上间断地布置的多个触点部分，所述多个触点部分穿透所述堆叠体并与所述第一导电层连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述多个触点部分通过在所述第一方向上延伸以在所述第二方向上分割所述多个第二导电层的一部分的所述第三导电层在所述第一方向上在所述台阶部分中的板状部分的上位置处连接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

在所述台阶部分中，所述板状部分在其下部包含在所述第一方向上被多个触点部分分割的第二绝缘层。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中

所述第二绝缘层不布置在所述存储器区域中的所述板状部分的下部中，及

所述第三导电层在所述存储器区域中沿所述第一方向连续地连接到所述第一导电层。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

多个第二柱，其布置在所述台阶部分中并在所述堆叠方向上延伸穿过所述堆叠体，其中

所述多个触点部分在与在所述第二方向上与所述多个第二柱中的在所述第一方向上与所述板状部分相邻地排列的第二柱中的每一者相对的位置偏离对准的同时被布置。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中

所述多个触点部分中的每一者在所述第二方向上具有比所述板状部分的另一部分在所述第二方向上的宽度宽的宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中

所述多个第一和第二柱分散地布置在所述堆叠体中，并且

所述多个第二导电层的每单位面积的所述多个第二柱的布置密度低于每单位面积的所述多个第一柱的布置密度。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中

当在所述堆叠方向上观察时，所述多个第一柱交错布置，并且

所述多个第二柱经布置以当在所述堆叠方向上观察时形成网格图案。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述板状部分包含：

第一板状部分；和

第二板状部分，其在所述第二方向上与所述第一板状部分相邻，及

所述多个触点部分包含：

多个第一触点部分，其包含在所述第一板状部分中；和

多个第二触点部分，其包含在所述第二板状部分中，并且在与在所述第二方向上与所述多个第一触点部分相对的位置偏离对准的同时个别布置。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中

所述多个第一触点部分中的相邻第一触点部分之间的距离是所述第一板状部分与所述第二板状部分之间的距离的一半或更短。