[发明专利]半导体存储器装置

说明书

根据实施例的半导体存储器装置包含：第一导电层；堆叠体，其包含在所述第一导电层上方交替地逐一堆叠的多个第二导电层与多个第一绝缘层，并且包含台阶部分，在所述台阶部分中所述多个第二导电层成梯台；以及板状部分，其包含第三导电层，所述第三导电层在所述堆叠体中沿所述堆叠方向和所述第一方向从所述台阶部分连续地延伸到存储器区域，所述板状部分在与所述堆叠方向和所述第一方向两者交叉的第二方向上分割所述堆叠体。所述板状部分在所述台阶部分中包含在所述第一方向上间断地布置的多个触点部分，所述多个触点部分穿透所述堆叠体并与所述第一导电层连接。

相关申请案的交叉参考

本申请案是基于并主张2021年6月14日申请的第2021-098827号日本专利申请案的优先权，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文描述的实施例大体涉及半导体存储器装置。

背景技术

在例如三维非易失性存储器的半导体存储器装置的实例性制造过程中，通过用导电层替换多个绝缘层来形成导电层的堆叠体。当用导电层替换时，由于移除多个绝缘层，堆叠体变得易碎。

发明内容

一个实施例的半导体存储器装置包含：第一导电层；堆叠体，其包含在所述第一导电层上方交替地逐一堆叠的多个第二导电层与多个第一绝缘层，并且包含台阶部分，所述多个第二导电层在所述台阶部分中成梯台；多个第一柱，其布置在存储器区域中，所述存储器区域在与所述堆叠体的堆叠方向交叉的第一方向上远离所述台阶部分，每一第一柱包含穿透所述堆叠体并与所述第一导电层连接的半导体层，并且在与所述多个第二导电层的至少一部分的相交点处形成存储器单元；以及板状部分，其包含第三导电层，所述第三导电层在所述堆叠体中沿所述堆叠方向和所述第一方向从所述台阶部分连续地延伸到所述存储器区域，所述板状部分在与所述堆叠方向和所述第一方向两者交叉的第二方向上分割所述堆叠体，其中所述板状部分在所述台阶部分中包含在所述第一方向上间断地布置的多个触点部分，所述多个触点部分穿透所述堆叠体并与所述第一导电层连接。

根据本实施例，可增强所述半导体存储器装置中的所述堆叠体的结构强度。

附图说明

图1A和1B是说明根据实施例的半导体存储器装置的实例性示意结构的图；

图2A到2C是根据实施例的半导体存储器装置的横截面图；

图3A和3B是根据实施例的半导体存储器装置的横向横截面图；

图4A到4E是说明根据实施例的提供到半导体存储器装置的板状触点的实例性层结构的图；

图5A到5C是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图6A和6B是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图7A到7C是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图8A到8C是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图9A到9C是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图10A到10C是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图11A和11B是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图12A和12B是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；

图13A到13C是说明根据实施例的用于制造半导体存储器装置的方法的实例性过程的图；