[发明专利]曝光掩模

权利要求书

1.一种曝光掩模，包括：

多个图案化区块，用以定义多个图案化轮廓，

其中每该图案化轮廓包括多个图案化单元，多个所述图案化单元具有多个掩模图案，且多个所述掩模图案是以不对称排列的方式形成。

2.如权利要求1所述的曝光掩模，其中多个所述掩模图案具有多个不同的形状，多个所述不同的形状包括矩形、正方形、圆形、钻石形、飞镖形、框架形或不规则的形状。

3.如权利要求2所述的曝光掩模，其中当多个所述掩模图案形成为多个正方形时，每该正方形的宽度大于0且小于或等于360nm；当多个所述掩模图案形成为多个钻石形时，每该钻石形的一边的长度大于0且小于或等于360nm；或者当多个所述掩模图案形成为多个圆形时，每该圆形的直径大于0且小于或等于360nm。

4.如权利要求2所述的曝光掩模，其中多个所述掩模图案中的一个具有至少两个宽度。

5.如权利要求2所述的曝光掩模，其中多个所述图案化单元中的一个具有至少两个掩模图案，且每该图案化区块中的多个所述图案化单元的数量不同。

6.如权利要求2所述的曝光掩模，其中每该图案化单元的宽度介于180nm至400nm之间。

7.如权利要求1所述的曝光掩模，其中每该图案化区块的厚度是固定的。

8.如权利要求1所述的曝光掩模，其中多个所述图案化轮廓包括不对称的凹面或不对称的凸面，或者每该图案化轮廓具有可变的曲率。

9.如权利要求1所述的曝光掩模，其中多个所述图案化区块被区分为一遮光部分及一透明部分，多个所述掩模图案由该遮光部分与该透明部分所形成，且该遮光部分的材料包括铬或二氧化硅。

10.如权利要求1所述的曝光掩模，其中每该图案化区块的多个所述图案化单元形成一M×N阵列，且M与N为大于或等于1的正整数。

11.如权利要求1所述的曝光掩模，其中多个所述图案化轮廓用于蚀刻硅、硅氢化合物、二氧化硅或其组合。