[发明专利]曝光掩模

说明书

一种曝光掩模，包含多个图案化区块，图案化区块用以定义多个图案化轮廓。每个图案化轮廓包含多个图案化单元，图案化单元具有多个掩模图案，且掩模图案是以不对称排列的方式形成。曝光掩模可为用于形成具有曲面的图案化轮廓的二元曝光掩模。

技术领域

本公开实施例涉及一种曝光掩模，尤其涉及一种用于形成具有曲面的图案化轮廓的二元(binary)曝光掩模。

背景技术

曝光掩模可用于感光材料，以形成光刻胶图案。举例来说，可通过给予光刻胶所需的曝光分布在三个维度上处理光刻胶(其包含感光材料)，并且可使用此光刻胶作为掩模将硅或玻璃基板等蚀刻成期望的形状。随着技术的进步，光刻胶图案变得越来越复杂。

一般而言，使用多个曝光掩模进行多次曝光被用于形成具有曲面的图案化轮廓。然而，这种方法不仅增加处理时间，而且还增加总成本。近来，一种渐变掩模方法(gradation mask method)已被用于形成具有曲面的图案化轮廓。在此方法中，透光量取决于(灰阶)曝光掩模上的遮光层的厚度。然而，这种方法需要更多的步骤(例如，重复的光刻和蚀刻制造程序)以形成具有不同厚度(或可变的厚度)的遮光层。

发明内容

在本公开的一些实施例中，曝光掩模可为一种用于形成具有曲面的图案化轮廓的二元曝光掩模。曝光掩模包含多个图案化区块。每个图案化区块包含多个具有掩模图案的多个图案化单元。在本公开的实施例中，掩模图案是以不对称排列的方式形成，其可通过一次性的光刻和蚀刻制造程序所生成，而不是重复进行光刻和蚀刻制造程序所生成。因此，可简化工艺步骤，并且可有效地减少处理时间和总成本。

根据本公开的一些实施例，提供一种曝光掩模。曝光掩模包含多个图案化区块，图案化区块用以定义多个图案化轮廓。每个图案化轮廓包含多个图案化单元，图案化单元具有多个掩模图案，且掩模图案是以不对称排列的方式形成。

在一些实施例中，掩模图案具有多个不同的形状。

在一些实施例中，不同的形状包含矩形、正方形、圆形、钻石形、飞镖形、框架形或不规则的形状。

在一些实施例中，掩模图案形成为多个正方形，且每个正方形的宽度大于0且小于或等于360nm。

在一些实施例中，掩模图案形成为多个钻石形，且每个钻石形的一边的长度大于0且小于或等于360nm。

在一些实施例中，掩模图案形成为多个圆形，且每个圆形的直径大于0且小于或等于360nm。

在一些实施例中，掩模图案中的一个具有至少两个宽度。

在一些实施例中，图案化单元中的一个具有至少两个掩模图案。

在一些实施例中，每个图案化单元的宽度介于180nm至400nm之间。

在一些实施例中，每个图案化区块的厚度是固定的。

在一些实施例中，每个图案化区块中的图案化单元的数量不同。

在一些实施例中，图案化轮廓包含不对称的凹面。

在一些实施例中，图案化轮廓包含不对称的凸面。

在一些实施例中，每个图案化轮廓具有可变的曲率。

在一些实施例中，图案化区块被区分为一遮光部分及一透明部分，且掩模图案由遮光部分与透明部分所形成。

在一些实施例中，遮光部分的材料包含铬或二氧化硅。

在一些实施例中，每个图案化区块的多个所述图案化单元形成一M×N阵列，且M与N为大于或等于1的正整数。

在一些实施例中，图案化轮廓用于蚀刻硅、硅氢化合物、二氧化硅或其组合。

附图说明