[发明专利]一种基于四氧化三铁/聚吡咯的电磁屏蔽织物、生产方法、应用有效

专利信息
申请号: 202210042280.7 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN114351443B 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 王凯;韩邦成;徐学平;周伟勇;赵风文;孙博文 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: D06M11/49 分类号: D06M11/49;D06M15/37;H05K9/00
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 罗宇智
地址: 100191 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 氧化 吡咯 电磁 屏蔽 织物 生产 方法 应用
【说明书】:

发明公开了一种基于四氧化三铁/聚吡咯的电磁屏蔽织物、生产方法、应用,属于电磁屏蔽材料这一技术领域,其设计要点在于,针对柔性电磁屏蔽材料的问题,通过使用复合纳米颗粒生产方法,将四氧化三铁纳米颗粒与吡咯结合,形成四氧化三铁/聚吡咯复合纳米颗粒,同时结合利用涂层整理技术,将四氧化三铁/聚吡咯复合纳米颗粒涂覆于纺织基布的表面,形成四氧化三铁/聚吡咯磁屏蔽织物。采用本申请的基于四氧化三铁/聚吡咯的电磁屏蔽织物、生产方法、应用,在低频磁屏蔽具有良好的磁屏蔽效果,同时具有柔性和便携性,适用于便携式磁屏蔽装置。

技术领域

本发明属于电磁屏蔽材料技术领域,尤其涉及一种基于四氧化三铁/聚吡咯的电磁屏蔽织物及其生产方法。

背景技术

随着现代科学技术突迅猛的发展,各种电子设备的普及,不可避免地向环境辐射电磁能量。电磁辐射会干扰设备,形成电磁泄漏,同时影响人类的健康。如何减少电磁辐射,防止电磁泄露,减少电磁辐射污染,对国防安全和保护人民身体健康有十分重要的意义。国内外对于电磁屏蔽相关的研究也多以高频电磁屏蔽材料开展,高频电磁屏蔽的原理为涡流效应,研究多以实现材料优异的磁屏蔽效能和导电性能为目标。低频磁信号屏蔽中,采用磁场旁路分流原理,由于频率低,趋肤效应小。低频电磁屏蔽的辐射同样会干扰精密仪器的测量,如无自旋交换弛豫原子(SERF)磁强计测试,也会对人体微磁场产生重要的影响从而导致疾病或者亚健康状态等。因此,对电磁屏蔽方向的研究,特别是低频磁屏蔽方面的研究,具有重要的学术研究价值。

目前常用的低频磁屏蔽材料为纯铁、硅钢片、坡莫合金等金属软磁材料,这些材料生产成大型的磁屏蔽装备(屏蔽房或屏蔽仓),能够满足大型精密仪器的测试。然而这些金属软磁材料在便携设备和人体防护等领域的机动性方面存在不足,这些领域对材料的柔软可变性的性能要求更强。电磁屏蔽织物具有很好的柔软性,是应用于便携医疗设备和人体防护领域不可或缺的低频磁屏蔽材料。

低频磁屏蔽织物常用的生产方法为涂层整理技术,在含有胶黏剂的涂层中添加一定量的导电或导磁粉体材料,涂覆到基布的表面的一种方法。四氧化三铁(四氧化三铁)磁性纳米颗粒与其他纳米颗粒相比具有饱和磁化强度高、矫顽力好、磁导率高、无毒、结构和功能可调控、生产工艺简便和成本低的优点,可以作为粉体材料应用于低频磁屏蔽织物。然而纳米材料在潮湿或高温的环境中会被氧化,因此需要对材料进行包覆,防止氧化的发生。聚吡咯(聚吡咯)是一种导电的高分子聚合物,该材料具有导电性好、环境稳定性好、抗腐蚀、低成本、易聚合、无毒等优点。与纳米材料结合,可以防止纳米颗粒被氧化,可以结合四氧化三铁磁性纳米颗粒作为粉体材料应用于低频磁屏蔽织物,同时聚吡咯具有良好的导电性,也可以作为电磁屏蔽材料,因此结合可以应用电磁屏蔽装备之中。

申请人经过检索:在织物领域采用四氧化三铁+聚吡咯来实现磁屏蔽的文献见表1所示。

表1

综上,随着量子精密测量技术的发展和应用的普及,针对磁屏蔽装置中低频磁屏蔽材料有较大的需求,尤其对应用于便携医疗装置中的对便携式的磁屏蔽材料这方面的研究实践研究还比较缺乏。

发明内容

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足,提供一种基于四氧化三铁/聚吡咯电磁屏蔽织物及其生产方法。

本发明是为了解决便携医疗装置和人体防护领域的电磁屏蔽,特别是低频磁屏蔽材料的需求,提供一种基于四氧化三铁/聚吡咯电磁屏蔽织物的生产方法,通过将四氧化三铁纳米颗粒的优异磁导率和聚吡咯的稳定性和导电性能相结合,使用涂层技术将材料涂覆在基布上,获得电磁屏蔽织物。该屏蔽织物既具有四氧化三铁的软磁性能,可以做低频下的磁屏蔽效能的测试,同时也可以屏蔽电磁性能,最终获得磁屏蔽性能优异的织物,满足便携磁测量医疗装置和人体防护领域。

本发明的技术解决方案是:

本发明的有益效果是:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210042280.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top