[发明专利]用于电子束曝光的对准标记及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210042527.5 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN114460819A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 张钦彤;裴天 申请(专利权)人: 北京量子信息科学研究院
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 项荣;何春晖
地址: 100094 北京市海淀区中*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子束 曝光 对准 标记 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于电子束曝光的对准标记的制备方法,包括:

在衬底上覆盖光刻胶;

以预定形状对所述光刻胶进行曝光并显影,以去除所述衬底上的一部分光刻胶,从而形成具有所述预定形状的图案;

在所述衬底和保留在所述衬底上的光刻胶上沉积金属的同时,使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀;以及

去除保留在所述衬底上的光刻胶及其上沉积的金属,从而在所述衬底上得到具有所述预定形状的沉积金属。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其中使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀包括:

通过在所述衬底和保留在所述衬底上的光刻胶上沉积的金属所携带的能量,对保留在所述衬底上的光刻胶进行加热。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其中所述金属的发射源与所述衬底之间具有预定的距离。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其中使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀包括:

利用独立的加热器,对所述衬底和/或保留在所述衬底上的光刻胶进行加热。

5.一种用于电子束曝光的对准标记的制备方法,包括:

在衬底上覆盖第一光刻胶;

在所述第一光刻胶上覆盖第二光刻胶;

以预定形状对所述第一光刻胶和第二光刻胶进行曝光并显影,以去除所述衬底上的一部分第一光刻胶和一部分第二光刻胶,从而形成具有所述预定形状的图案;

在所述衬底和保留在所述衬底上的第二光刻胶上沉积金属的同时,使保留在所述衬底上的第一光刻胶和第二光刻胶受热膨胀;以及

去除保留在所述衬底上的第一光刻胶和第二光刻胶及其上沉积的金属,从而在所述衬底上得到具有所述预定形状的沉积金属。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其中所述第一光刻胶比所述第二光刻胶具有更高的灵敏度,从而在进行曝光并显影后,所述第一光刻胶的图案比所述第二光刻胶的图案大。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其中所述预定形状的图案具有倒梯形结构。

8.根据权利要求5所述的制备方法,其中使保留在所述衬底上的第一光刻胶和第二光刻胶受热膨胀包括:

通过在所述衬底和保留在所述衬底上的第二光刻胶上沉积的金属所携带的能量,对保留在所述衬底上的第一光刻胶和第二光刻胶进行加热。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其中所述金属的发射源与所述衬底之间具有预定的距离。

10.根据权利要求5所述的制备方法,其中使保留在所述衬底上的第一光刻胶和第二光刻胶受热膨胀包括:

利用独立的加热器,对所述衬底和/或保留在所述衬底上的第一光刻胶和第二光刻胶进行加热。

11.一种利用如权利要求1-10中任一项所述的方法制备的、用于电子束曝光的对准标记。

12.根据权利要求11所述的对准标记,其中所述对准标记具有三角形、梯形或谷仓形截面。

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