[发明专利]用于电子束曝光的对准标记及其制备方法

说明书

本申请提供一种用于电子束曝光的对准标记及其制备方法，制备方法包括：在衬底上覆盖光刻胶；以预定形状对所述光刻胶进行曝光并显影，以去除所述衬底上的一部分光刻胶，从而形成具有所述预定形状的图案；在所述衬底和保留在所述衬底上的光刻胶上沉积金属的同时，使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀；以及去除保留在所述衬底上的光刻胶及其上沉积的金属，从而在所述衬底上得到具有所述预定形状的沉积金属。本申请的技术方案提高了对准标记的对准效果。

技术领域

本申请涉及光刻技术领域，具体涉及一种用于电子束曝光的对准标记及其制备方法。

背景技术

在图形曝光(光刻)技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术、离子注入技术和粘结互连技术等，这些加工技术中，图形曝光技术是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。电子束曝光技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术，尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。

电子束曝光是利用电子束在涂有感光胶的晶片上直接描画或投影复印图形的技术，它的特点是电子束的波长很短，分辨率高(极限分辨率可达到3～8nm)、图形产生与修改容易、制作周期短。电子束曝光以其分辨率高、性能稳定、功能强大、价格相对低廉而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。

在半导体器件微纳制造中，一个器件的制作往往需要用到几次甚至十几次的电子束曝光，而影响电子束曝光工艺误差的因素除了电子束光刻机的分辨率和电子抗蚀剂的精度之外，还有器件制造过程中不同层光刻图形之间套刻对准的精度。多步曝光之间的套刻精度往往是器件性能的关键参数。另外，系统电子束的偏转幅度需要与具体使用的写场尺寸进行调节相匹，此为写场校准。实际应用中，不论是套刻或者写场校准，都是要高质量的对准标记来实现。

对准标记普遍应用于电子束套刻中，其一般是由含有直角结构的十字形、圆形、方形或L形等形状的凸起或凹槽构成。这些对准标记可以是电子束曝光系统自带，也可以是制备在样品衬底上。这些对准标记的形状各式各样，但是设计原则只有一个，即帮助操作人员或者机器实现精确定位。

目前的对准标记的对准效果不好，容易引入误差。如图1示出实际的扫描电镜成像，在实际调写场或者对准的时候，对准标记需要在扫描电镜中进行拍摄，形成了一张二维的照片，用于人为定位，目的是精确地定位十字中心。尤其是该对准标记多次使用之后，成像质量变差，越发难以找到中心。

背景技术部分的内容仅仅是公开发明人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。

发明内容

本申请旨在提供一种用于电子束曝光的对准标记及其制备方法，解决了对准标记精确定位的问题。

根据本申请的一方面，提出一种用于电子束曝光的对准标记的制备方法，包括：在衬底上覆盖光刻胶；以预定形状对所述光刻胶进行曝光并显影，以去除所述衬底上的一部分光刻胶，从而形成具有所述预定形状的图案；在所述衬底和保留在所述衬底上的光刻胶上沉积金属的同时，使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀；以及去除保留在所述衬底上的光刻胶及其上沉积的金属，从而在所述衬底上得到具有所述预定形状的沉积金属。

根据一些实施例，其中使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀包括：

通过在所述衬底和保留在所述衬底上的光刻胶上沉积的金属所携带的能量，对保留在所述衬底上的光刻胶进行加热。

根据一些实施例，其中所述金属的发射源与所述衬底之间具有预定的距离。

根据一些实施例，其中使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀包括：

利用独立的加热器，对所述衬底和/或保留在所述衬底上的光刻胶进行加热。