[发明专利]DRAM测试方法、电子设备和存储介质在审
申请号: | 202210046739.0 | 申请日: | 2022-01-14 |
公开(公告)号: | CN114528164A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 宋文杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶存科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G06F11/26 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张志辉 |
地址: | 518048 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dram 测试 方法 电子设备 存储 介质 | ||
1.一种DRAM测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取DRAM的时序参数,所述DRAM具有两个RANK,每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚;
根据所述时序参数,对所述DRAM进行初始化;
测试所述DRAM的第一个RANK;
待测试完成后,DRAM控制器进入自刷新模式;
同步第二个RANK的使能时钟,激活第二个RANK的初始校验参数,并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK,以对第二个RANK进行测试;
待第二个RANK测试完成后,所述DRAM控制器退出自刷新模式。
2.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述根据所述时序参数,对所述DRAM进行初始化,具体包括:
根据所述时序参数,配置测试平台的外部存储器接口的寄存器,以对所述DRAM进行初始化。
3.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述DRAM控制器进入自刷新模式,具体包括:
配置所述DRAM控制器的DRAM寄存器,使所述DRAM控制器进入自刷新模式,以拉低第二个RANK的时钟使能引脚。
4.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述同步第二个RANK的使能时钟,具体包括:
配置所述DRAM控制器的CKE寄存器,以同步第二个RANK的使能时钟。
5.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述激活第二个RANK的初始校验参数,具体包括:
配置所述DRAM控制器的TXrank寄存器,以激活第二个RANK的初始校验参数。
6.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK,具体包括:
配置测试平台的CS SWAP寄存器,以将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK。
7.一种电子设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6任一项所述的DRAM测试方法。
8.一种计算机可读存储介质,所述存储介质存储有程序,其特征在于,所述程序被处理器执行时实现权利要求1至6任一项所述的DRAM测试方法。
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