[发明专利]DRAM测试方法、电子设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202210046739.0 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN114528164A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 宋文杰 申请(专利权)人: 深圳市晶存科技有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22;G06F11/26
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 张志辉
地址: 518048 广东省深圳市福田区福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: dram 测试 方法 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种DRAM测试方法,其特征在于,包括以下步骤:

获取DRAM的时序参数,所述DRAM具有两个RANK,每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚;

根据所述时序参数,对所述DRAM进行初始化;

测试所述DRAM的第一个RANK;

待测试完成后,DRAM控制器进入自刷新模式;

同步第二个RANK的使能时钟,激活第二个RANK的初始校验参数,并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK,以对第二个RANK进行测试;

待第二个RANK测试完成后,所述DRAM控制器退出自刷新模式。

2.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述根据所述时序参数,对所述DRAM进行初始化,具体包括:

根据所述时序参数,配置测试平台的外部存储器接口的寄存器,以对所述DRAM进行初始化。

3.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述DRAM控制器进入自刷新模式,具体包括:

配置所述DRAM控制器的DRAM寄存器,使所述DRAM控制器进入自刷新模式,以拉低第二个RANK的时钟使能引脚。

4.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述同步第二个RANK的使能时钟,具体包括:

配置所述DRAM控制器的CKE寄存器,以同步第二个RANK的使能时钟。

5.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述激活第二个RANK的初始校验参数,具体包括:

配置所述DRAM控制器的TXrank寄存器,以激活第二个RANK的初始校验参数。

6.根据权利要求1所述的DRAM测试方法,其特征在于,所述将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK,具体包括:

配置测试平台的CS SWAP寄存器,以将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK。

7.一种电子设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6任一项所述的DRAM测试方法。

8.一种计算机可读存储介质,所述存储介质存储有程序,其特征在于,所述程序被处理器执行时实现权利要求1至6任一项所述的DRAM测试方法。

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