[发明专利]DRAM测试方法、电子设备和存储介质

说明书

本发明公开了一种DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根据本发明的DRAM测试方法，能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量。

技术领域

本发明涉及DRAM技术领域，尤其是涉及一种DRAM测试方法、电子设备和存储介质。

背景技术

随着集成电路的发展，集成电路的密度越来越高、速度越来越快，与此同时，集成电路的故障率也随着提高。对于DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)而言，在没有ECC(Error Checking and Correcting，错误检查和纠正)的情况下，不能允许1个bit(比特)数据的错误，否则产品运用在手机、平板等设备中会造成系统死机、重启应用程序崩溃等不良现象发生。

为了提升DRAM的使用体验和稳定性，需要对其进行必要的功能测试。现下大部分智能平台所进行的DRAM测试，是无法直接使用开机和系统测试的，所以就需要进行DRAM初始化阶段的效验和测试。而基于普遍32位模式启动的引导固件对于现下的大容量内存而言，测试是有很大限制的，比如内存超过4GB，引导固件就无法完整覆盖测试了(32位引导系统，只能支持最大4GB寻址)。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种DRAM测试方法、电子设备和存储介质，能够提升可测试的DRAM容量。

一方面，根据本发明实施例的DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM 的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM 的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK 的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK 切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。

根据本发明实施例的DRAM测试方法，至少具有如下有益效果：能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量；同时，根据本申请的DRAM 测试方法，可以在32位的初始化模式下进行提升寻址能力，可以在未进入系统和DRAM被使用前，进行全覆盖功能测试，最大化的提升测试精度和准确性。

根据本发明的一些实施例，所述根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化，具体包括：根据所述时序参数，配置测试平台的外部存储器接口的寄存器，以对所述DRAM进行初始化。

根据本发明的一些实施例，所述DRAM控制器进入自刷新模式，具体包括：配置所述DRAM控制器的DRAM寄存器，使所述DRAM控制器进入自刷新模式，以拉低第二个RANK的时钟使能引脚。

根据本发明的一些实施例，所述同步第二个RANK的使能时钟，具体包括：配置所述DRAM控制器的CKE寄存器，以同步第二个RANK的使能时钟。

根据本发明的一些实施例，所述激活第二个RANK的初始校验参数，具体包括：配置所述DRAM控制器的TXrank寄存器，以激活第二个RANK的初始校验参数。

根据本发明的一些实施例，所述将片选时钟由第一个RANK切换至第二个 RANK，具体包括：配置测试平台的CS SWAP寄存器，以将片选时钟由第一个RANK 切换至第二个RANK。