[发明专利]一种基准电压及倍压电路有效
| 申请号： | 202210048272.3 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114461006B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 何刚;彭琪;曹建林 | 申请（专利权）人： | 深圳市诚芯微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 孙中勤;谢明晖 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区南湾街道下*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 压电 | ||
1.一种基准电压及倍压电路，其特征在于，包括带隙基准电路(10)和基准倍压电路(20)，所述基准倍压电路(20)包括MOS管N1、电流镜像单元(21)和倍压单元(22)，所述MOS管N1采用N型MOS管，MOS管N1的栅极与带隙基准电路(10)的输出端连接，MOS管N1的漏极与电流镜像单元(21)连接，MOS管N1的源极接地，所述电流镜像单元(21)与电源VDD连接，所述倍压单元(22)的一端与电流镜像单元(21)连接，倍压单元(22)的另一端接地；
其中，倍压单元(22)包括多个依次串联的MOS管，且每个MOS管的栅极与自身的漏极连接，若倍压单元(22)采用N型MOS管，则MOS管的栅极作为参考电压输出端；若倍压单元(22)采用P型MOS管，则MOS管的漏极作为参考电压输出端；
所述MOS管N1采用宽长比小于或等于0.1的MOS管，倍压单元(22)中的MOS管的尺寸与MOS管N1的尺寸相同。
2.根据权利要求1所述的一种基准电压及倍压电路，其特征在于，所述MOS管N1的宽为2um，MOS管N1的长为20um。
3.根据权利要求1所述的一种基准电压及倍压电路，其特征在于，所述电流镜像单元(21)包括MOS管P1和MOS管P2，所述MOS管P1和MOS管P2采用P型MOS管，MOS管P1的源极与电源VDD连接，MOS管P1的栅极与MOS管P1的漏极、MOS管N1的漏极连接；所述MOS管P2的源极与电源VDD连接，MOS管P2的栅极与MOS管P1的栅极连接，MOS管P2的漏极与倍压单元(22)连接。
4.根据权利要求3所述的一种基准电压及倍压电路，其特征在于，所述电流镜像单元(21)还包括MOS管P3，所述MOS管P3采用P型MOS管，MOS管P3的源极与电源VDD连接，MOS管P3的栅极与MOS管P1的栅极连接，MOS管P3的漏极连接有参考电压单元(40)。
5.根据权利要求4所述的一种基准电压及倍压电路，其特征在于，所述参考电压单元(40)包括MOS管N5，所述MOS管N5采用N型MOS管，MOS管N5的漏极与MOS管P3的漏极、MOS管N5的栅极连接，MOS管N5的源极接地。
6.根据权利要求1所述的一种基准电压及倍压电路，其特征在于，所述带隙基准电路(10)的输出端连接有滤波单元(30)，所述滤波单元(30)的输出端与MOS管N1的栅极连接。
7.根据权利要求6所述的一种基准电压及倍压电路，其特征在于，所述滤波单元(30)包括电阻R4和电容C，所述电阻R4的一端与带隙基准电路(10)的输出端连接，电阻R4的另一端与MOS管N1的栅极、电容C的一端连接，所述电容C的另一端接地。
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