[发明专利]一种电沉积硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)将离子液体干燥除水，将离子液体直接放入真空手套箱中抽至真空，恒温干燥，去除离子液体中的水分，干燥完成后，将无水离子液体快速转移至充满氩气的所述真空手套箱中备用；

b)将所述无水离子液体在所述真空手套箱中与硅盐搅拌混合，得混合溶液；

c)处理电极，将电极打磨抛光，然后除去表面的有机物，清洗干净，干燥后备用；

d)将所述混合溶液通入到电池槽中电沉积，电沉积完成后将阴极板取出清洗得到硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：所述离子液体为1-乙基-3-甲基-咪唑双(三氟甲基磺酰基)亚胺([EMIM]Tf₂N)、1-丁基-3-甲基吡咯烷酰基双(三氟甲基磺酰基)亚胺([BMPy]Tf₂N)中的一种或者二者混合物，所述硅盐为四氯化硅。

3.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤a)中，所述恒温干燥的温度为120℃，所述干燥的时间为24h。

4.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤b)中，所述电极采用三电极体系，其中钛板(99.99％)为工作电极，铂板(99.99％)为对电极，银电极(99.99％)为准参比电极。

5.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：所述电极处理具体的为：打磨抛光使用800#的石英砂纸表面打磨光滑，接着用抛光粉抛光，然后用超纯水冲洗去除表面碎屑后浸入丙酮中去除表面有机物，最后再浸入无水乙醇中在超声清洗仪中超声15min，超声完成后用氮气吹干，快速转移至充满氩气的真空手套箱中备用。

6.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤d)中，所述电沉积的实验条件为：SiCl₄浓度为0.1-1.0mol/L，温度为10-60℃，电流密度为5-100A/m²。

7.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤d)中，所述清洗用的清洗液为丙酮溶液。