[发明专利]阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置在审
申请号: | 202210050250.0 | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN114420709A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 邱涛;赵一静;陈红利;杨曦;杨宇丹;蒋雷 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都中电熊猫显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 吕艳英;贾慧娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 栅极 断线 修复 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的栅极断线修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
栅极电路成型步骤,包括在衬底基板表面形成第一金属层,并对所述第一金属层进行曝光和刻蚀,形成栅极电路,检测栅极断线点位;
源漏电路成型步骤,包括在所述第一金属层背离衬底基板一侧形成第二金属层,对所述第二金属层进行曝光,对曝光后的第二金属层进行光刻胶修复,并进行刻蚀,形成源漏电路;
阵列基板修补步骤,包括对形成的阵列基板进行栅极断线修补。
2.根据权利要求1所述的栅极断线修复方法,其特征在于,所述光刻胶修复包括下载检测到的栅极断线点位,在所述第二金属层背离衬底基板的表面上形成光刻胶层,并剥离栅极断线点位两侧的部分光刻胶。
3.根据权利要求2所述的栅极断线修复方法,其特征在于,刻蚀光刻胶修复后的第二金属层包括刻蚀光刻胶剥离位置处的第二金属层,以在刻蚀位置处形成单个金属层。
4.根据权利要求3所述的栅极断线修复方法,其特征在于,对形成的阵列基板进行栅极断线修补包括下载光刻胶修复后的断线点位,在栅极断线两侧的单金属层区域进行打孔、注膜和成膜修复连接断线。
5.根据权利要求2所述的栅极断线修复方法,其特征在于,光刻胶剥离采用皮秒级镭射进行。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的栅极断线修复方法,其特征在于,用于断线修复的材料为W。
7.根据权利要求1所述的栅极断线修复方法,其特征在于,在所述栅极电路成型步骤和所述源漏电路成型步骤之间还依次包括栅极电路保护膜成型步骤和金属氧化物成型步骤。
8.一种阵列基板,包括采用权利要求1至7中任一项所述的栅极断线修复方法修复的栅极断线。
9.一种显示装置,包括根据权利要求8所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的