[发明专利]阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置

说明书

本公开实施例提供一种阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置。所述栅极断线修复方法包括以下步骤：形成第一金属层，并对所述第一金属层进行曝光和刻蚀，形成栅极电路，检测栅极断线点位；形成第二金属层、对所述第二金属层进行曝光，对曝光后的第二金属层进行光刻胶修复和刻蚀，形成源漏电路；对形成的阵列基板进行断线修补。本公开实施例的技术方案针对外围双层金属配线，通过前置源漏电路光刻胶修复，使得光刻胶修复后刻蚀源漏电路金属层的方式将在双层金属区修复配线转变为在单层金属区修复配线，从而提升外围双层配线区栅极断线修补的成功率和可靠性。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的栅极断线修复方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

现有的阵列基板生产工艺中，针对阵列基板的双层金属配线区(如图1所示)中出现的栅极断线的修复方法通常是在阵列基板形成后，在栅极断线的双层金属配线区打孔、注膜和成膜连接断线来进行修复。该修复方法打孔步骤需要穿透双层金属层，形成的孔中容易残留源漏电路金属层材料，残留材料易翘起，从而影响连线成膜与栅极金属的接触，断线修复成功率和信赖性低。

发明内容

本公开实施例提供一种阵列基板的栅极断线修复方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的一个方面，本公开实施例提供一种阵列基板的栅极断线修复方法，包括以下步骤：

栅极电路成型步骤，包括在衬底基板表面形成第一金属层，并对所述第一金属层进行曝光和刻蚀，形成栅极电路，检测栅极断线点位；

源漏电路成型步骤，包括在所述第一金属层背离衬底基板一侧形成第二金属层，对所述第二金属层进行曝光，对曝光后的第二金属层进行光刻胶修复，并进行刻蚀，形成源漏电路；

阵列基板修补步骤，包括对形成的阵列基板进行栅极断线修补。

在一些可能的实现方式中，所述光刻胶修复包括下载检测到的栅极断线点位，在所述第二金属层背离衬底基板的表面上形成光刻胶层，并剥离栅极断线点位两侧的部分光刻胶。

在一些可能的实现方式中，刻蚀光刻胶修复后的第二金属层包括刻蚀光刻胶剥离位置处的第二金属层，以在刻蚀位置处形成单个金属层。

在一些可能的实现方式中，对形成的阵列基板进行栅极断线修补包括下载光刻胶修复后的断线点位，在栅极断线两侧的单金属层区域进行打孔、注膜和成膜修复连接断线。

在一些可能的实现方式中，光刻胶剥离采用皮秒级镭射进行。

在一些可能的实现方式中，用于断线修复的材料为W。

在一些可能的实现方式中，在所述栅极电路成型步骤和所述源漏电路成型步骤之间还依次包括栅极电路保护膜成型步骤和金属氧化物成型步骤。

作为本公开实施例的另一个方面，本公开实施例提供一种阵列基板，包括采用上述栅极断线修复方法修复的栅极断线。

作为本公开实施例的又一个方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本公开实施例的栅极断线修复方法通过在源漏电路成型步骤的前置光刻胶剥离修复，刻蚀后将打孔位点的双层金属区转变为单层金属区，且孔内无金属残留、翘起等异常；单层金属区打孔修复成功率高，可靠性好。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明