[发明专利]一种低烧低介高Q高稳定电容器用微波瓷料有效

专利信息
申请号: 202210050318.5 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN115010488B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 程华容 申请(专利权)人: 北京元六鸿远电子科技股份有限公司;北京元陆鸿远电子技术有限公司;元六鸿远(苏州)电子科技有限公司
主分类号: C04B35/49 分类号: C04B35/49;C04B35/622;C04B35/64;H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 林聪源
地址: 100070 北京市丰台*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 低烧 低介高 稳定 电容 器用 微波
【权利要求书】:

1.一种低烧低介高Q高稳定电容器用微波瓷料,其特征在于,所述微波瓷料包括:主料、助烧剂和改性添加剂;

所述主料为Ca0.9-y-zSr0.1MgyMnz(Zr0.96Ti0.02Hf0.02)mO1+2m,其中,0.05≤y≤0.10、0.02≤z≤0.08、0.95≤m≤1.05;

所述的助烧剂包括:BaO、B2O3、SiO2和CuO;

所述改性添加剂包括:Y2O3、Dy2O3、Sc2O3、Al2O3、CaMgSi2O6和BaZrO3

所述微波瓷料包括以下重量份的组分:

主料100重量份、助烧剂9.0~12.0重量份、Y2O30.5~3.0重量份、Dy2O31.0~2.0重量份、Sc2O30~1.0重量份、Al2O31.0~5.0重量份、CaMgSi2O64.0~6.0重量份和BaZrO31.0~2.0重量份。

2.根据权利要求1所述的微波瓷料,其特征在于,所述助烧剂粒度控制在D50≤0.8μm、D90≤2.0μm。

3.根据权利要求1所述的微波瓷料,其特征在于,所述BaO、SiO2和CuO的粒度均控制在D50≤0.3μm;

所述BaO由Ba的碳酸盐、氧化物或氢氧化物制得;

所述SiO2由Si的氧化物或氢氧化物制得;

所述CuO由Cu的碳酸盐、氧化物或氢氧化物制得。

4.根据权利要求1所述的微波瓷料,其特征在于,所述主料由CaCO3、SrCO3、Mg(OH)2、MnCO3、TiO2、ZrO2及HfO2按比例球磨混合均匀后,进行烘干、过筛后在1100℃~1200℃煅烧2~5小时后制得。

5.根据权利要求1所述的微波瓷料,其特征在于,所述助烧剂由BaO、B2O3、SiO2和CuO按比例混合后,在坩埚中于1100℃~1200℃熔融冷淬,球磨,过筛制得。

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