[发明专利]二极管结构及半导体装置在审
| 申请号： | 202210051680.4 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116487442A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李京达;甘铠铨;罗宗仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 半导体 装置 | ||
1.一种二极管结构，其特征在于，包括：
一基底，具有一第一导电类型；
一第一井区，具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型，设置于该基底中；一第一掺杂区，具有该第一导电类型，设置于该第一井区中；
一环状井区，具有该第二导电类型，设置于该第一井区中，且围绕该第一掺杂区；
一阳极，设置于该第一掺杂区上；
一第二井区，具有该第二导电类型，与该第一井区分离，设置于该基底中；
一第二掺杂区，具有该第二导电类型，设置于该第二井区中；以及
一阴极，设置于该第二掺杂区上。
2.如权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，该环状井区的掺杂浓度高于该第一井区的掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，还包括：
一第三井区，具有该第一导电类型，设置于该基底中，位于该第一井区和该第二井区之间，且与该第一井区和该第二井区分离；
一第三掺杂区，具有该第一导电类型，设置于该第三井区中；以及
一接地电极，设置于该第三掺杂区上。
4.如权利要求3所述的二极管结构，其特征在于，该第一掺杂区与该第三掺杂区之间具有一第一距离，该第二掺杂区与该第三掺杂区之间具有一第二距离，且该第二距离大于或等于该第一距离。
5.如权利要求4所述的二极管结构，其特征在于，该第二距离为该第一距离的1至2倍。
6.如权利要求3所述的二极管结构，其特征在于，还包括：
一第一场板，从该第一井区上方侧向延伸至该第三井区上方；以及
一第二场板，从该第二井区上方侧向延伸至该第三井区上方，其中该接地电极位于该第一场板和该第二场板之间。
7.如权利要求6所述的二极管结构，其特征在于，该第一场板位于该阳极和该接地电极之间，该第二场板位于该阴极和该接地电极之间。
8.如权利要求6所述的二极管结构，其特征在于，还包括：
一第一隔离区，设置于该第一井区中，且围绕该第一掺杂区；以及
一第二隔离区，设置于该第二井区中，且围绕该第二掺杂区，
其中该第一场板的一部分设置在该第一隔离区上，且该第二场板的一部分设置在该第二隔离区上。
9.如权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，还包括一第一埋层，具有该第二导电类型，设置于该第一井区下方，且与该环状井区接触。
10.如权利要求9所述的二极管结构，其特征在于，该第一埋层的掺杂浓度高于该第一井区的掺杂浓度。
11.如权利要求9所述的二极管结构，其特征在于，还包括一第二埋层，具有该第二导电类型，设置于该第二井区下方，且该第二埋层与该第一埋层分离。
12.如权利要求11所述的二极管结构，其特征在于，该第二埋层的掺杂浓度高于该第二井区的掺杂浓度。
13.如权利要求11所述的二极管结构，其特征在于，还包括一第三埋层，具有该第二导电类型，设置于该基底中，且从该第一井区下方侧向延伸至该第二井区下方。
14.如权利要求13所述的二极管结构，其特征在于，该第一埋层和该第二埋层设置于该第三埋层中，且该第一埋层和该第二埋层的掺杂浓度高于该第三埋层的掺杂浓度。
15.如权利要求13所述的二极管结构，其特征在于，该第三埋层与该第一井区和该第二井区接触。
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