[发明专利]一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法及其系统

权利要求书

1.一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、在地面将校正系数存入NandFlash存储器中；

步骤S2、在FPGA芯片内部使用RAM存储器设置一个坏块管理表，该坏块管理表对应一组NandFlash的存储空间从而建立块的逻辑地址与物理地址的映射关系；

步骤S3、相机在轨上电后，读取NandFlash首地址的数据来替换坏块管理表；

步骤S4、将NandFlash中的校正系数导出至DDR3存储器中，对拍摄的图像进行非均匀性校正。

2.根据权利要求1所述的一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其特征在于，在步骤S1内，在地面将面阵CMOS非均匀校正系数经过辐射定标后存入NandFlash存储器中。

3.根据权利要求2所述的一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其特征在于，在步骤S1内，将NandFlash存储器分为8个基片，每个基片独立存储一组面阵CMOS非均匀校正系数。

4.根据权利要求3所述的一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其特征在于，在步骤S2内，将坏块管理表存储在NandFlash的首个Block中。

5.根据权利要求4所述的一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其特征在于，在步骤S3内，FPGA芯片读取NandFlash首个Block的数据。

6.根据权利要求5所述的一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其特征在于，在步骤S4内，FPGA芯片将从NandFlash中读取的校正系数写入DDR3芯片中。

7.根据权利要求6所述的一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其特征在于，在步骤S4内，对面阵图像数据进行整合处理，将所需的非均匀校正系数从DDR3芯片中读出，采用并行流水的方式，将图像数据进行非均匀校正处理。

8.一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储系统，其特征在于，包括：

存入模块，用于在地面将校正系数存入NandFlash存储器中；

坏块管理模块，用于对应一组NandFlash的存储空间建立块的逻辑地址与物理地址的映射关系；

替换模块，用于读取NandFlash首地址的数据来替换坏块管理表；

校正模块，用于将NandFlash中的校正系数导出至DDR3存储器中，对拍摄的图像进行非均匀性校正。