[发明专利]一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法及其系统

说明书

本发明涉及航天技术领域，特别涉及一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法及其系统；本发明先规划校正系数在NandFlash中的存储格式，高效地利用存储空间，预先在地面将校正系数存入NandFlash中；然后在FPGA内部使用RAM存储器开辟一个坏块管理表，对应一组NandFlash的全部存储空间，使用坏块管理表建立块的逻辑地址与物理地址的映射关系；相机在轨上电后，读取NandFlash首地址的数据替换坏块管理表；最后将NandFlash中的校正系数导出到DDR3存储器中，对拍摄的图像进行非均匀性校正。

技术领域

本发明涉及航天技术领域，特别涉及一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法及其系统。

背景技术

以往航天相机的探测器多采用线阵CCD，需要在轨校正的像元个数较少，或对于面阵CMOS只校正列方向的像元，则只需要少量的存储空间来存储校正系数，因此，多采用FPGA内部的存储器资源存储校正系数，但已无法满足目前大面阵CMOS的校正系数存储需求。

科学级的CMOS成像传感器近年来凭借工艺的高集成度、优良的抗辐照特性等诸多优点，已经占据了地球勘测、遥感成像及星敏感器等空间探测任务的主导地位，逐步替代了CCD成像传感器。

面阵CMOS与线阵CCD相比，驱动电路简单，集成度高，可靠性高增高，但由于CMOS探测器的结构特点，面阵中的每个像元都具有独立的增益放大器，因此成像结果存在不均匀性，为了达到良好的成像效果，需要对每个像元进行非均匀性校正。

随着应用需求的增加，CMOS探测器的靶面逐渐增大，以某任务型号探测相机为例，相机搭载了多片10240×10240的超大靶面的CMOS探测器，一片CMOS就包含有100M个像元，每个像元使用40bit的二次多项式校正系数，则至少需要3.9Gb的存储空间，因此，若需要存储多片CMOS探测器以及多增益模式条件下的校正系数，则需要大容量的存储空间，还需要对每个像元进行非均匀性校正。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供了一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，先在地面将校正系数存入NandFlash存储器，而且在FPGA芯片内设置有坏块管理表，相机在轨上电后，读取NandFlash首地址的数据来替换坏块管理表，将NandFlash中的校正系数导出至DDR3存储器中，对拍摄的图像进行非均匀性校正；还提供了一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储系统。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供了一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法，其中，包括如下步骤：

步骤S1、在地面将校正系数存入NandFlash存储器中；

步骤S2、在FPGA芯片内部使用RAM存储器设置一个坏块管理表，该坏块管理表对应一组NandFlash的存储空间从而建立块的逻辑地址与物理地址的映射关系；

步骤S3、相机在轨上电后，读取NandFlash首地址的数据来替换坏块管理表；

步骤S4、将NandFlash中的校正系数导出至DDR3存储器中，对拍摄的图像进行非均匀性校正。

作为本发明的一种改进，在步骤S1内，在地面将面阵CMOS非均匀校正系数经过辐射定标后存入NandFlash存储器中。

作为本发明的进一步改进，在步骤S1内，将NandFlash存储器分为8个基片，每个基片独立存储一组面阵CMOS非均匀校正系数。

作为本发明的更进一步改进，在步骤S2内，将坏块管理表存储在NandFlash的首个Block中。

作为本发明的更进一步改进，在步骤S3内，FPGA芯片读取NandFlash首个Block的数据。