[发明专利]集成电路器件制造系统及其中使用的方法在审

专利信息
申请号: 202210055976.3 申请日: 2022-01-18
公开(公告)号: CN115020262A 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 李逸哲;黄怀莹 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 器件 制造 系统 其中 使用 方法
【说明书】:

通过在集成电路制造工艺顺序的中间对衬底施加扫描探针显微镜检查,可以避免成本并且提高良率。扫描探针显微镜可以用于提供电导率数据。电导率数据可能与通常在器件制造结束之前不可用的器件特性有关。可以选择性地处理衬底,以改善数据显示的状况。可以基于数据选择性地丢弃一些衬底,以避免进一步处理的费用。可以基于该数据选择性地实施工艺维护操作。本发明的实施例还涉及集成电路器件制造系统及其中使用的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件制造系统及其中使用的方法。

背景技术

制造集成电路通常包括通过大量制造工艺来处理诸如半导体晶圆的衬底,以形成各种部件和器件。衬底经过数百种制造工艺,包括但不限于光刻工艺、等离子体蚀刻、湿蚀刻、化学气相沉积(CVD)、溅射沉积、化学机械抛光(CMP)、离子注入、退火、它们的变体等。

对不断增长的更高器件密度的需求不断增长。结果,一些制造工艺可以在它们的能力极限附近操作。由于要处理的器件数量众多,并且推动了工艺限制,因此制造的器件的一些部分可能是不完善的。为了确保质量,制造商会对完成的器件进行检查,并且丢弃不满足制造商标准的器件。存在与丢弃器件相关联的成本以及降低成本的持续需求。

发明内容

本发明的实施例提供了一种在集成电路器件制造系统中使用的方法,包括:将第一制造工艺施加至具有表面的衬底;使用扫描探针显微镜扫描所述表面的部分以获得数据;处理所述数据以作出诊断确定;以及基于所述诊断确定将第二制造工艺选择性地施加至所述衬底。

本发明的另一实施例提供了一种在集成电路器件制造系统中使用的方法,包括:接收具有多个器件结构的衬底;使用扫描探针显微镜扫描所述衬底的部分以获得数据;从所述数据形成一个或多个图像;识别与多个所述器件结构中的单独的器件对应的一个或多个图像的区域;对与单独的器件对应的区域施加分析;以及在制造工艺或系统中使用所述分析的结果。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路器件制造系统,包括:第一处理工具;第二处理工具;衬底处理系统;扫描探针显微镜;以及计算机处理器;其中,所述扫描探针显微镜从所述第一处理工具接收衬底;所述计算机处理器从所述扫描探针显微镜接收数据;并且所述衬底处理系统根据来自所述计算机处理器的指令选择性地将所述衬底传递至所述第二处理工具。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据本教导的一些方面的制造系统的截面侧视图。

图2示出了可以根据本教导使用的扫描探针显微镜。

图3是根据本教导的一些方面的方法的流程图。

图4示出了在制造的中间阶段处的存储器器件的横截面。

图5至图7示出了在制造的后续阶段处的图4的存储器器件的横截面。

图8示出了在制造的中间阶段处的集成电路的横截面。

图9示出了在制造的中间阶段处的另一集成电路的横截面。

图10是根据本教导的一些方面获得的C-AFM数据的图。

图11是根据本教导的一些方面的方法的流程图。

图12是根据本教导的一些方面获得的数据的图像。

图13A至图13C是根据本教导的其他方面的从图12的图像导出的黑白图像。

图14是根据本教导的一些其他方面的方法的流程图。

图15是根据本教导的一些其他方面的方法的流程图。

具体实施方式

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