[发明专利]一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体及其电子束辐照处理方法

权利要求书

1.一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体的电子束辐照处理方法，其特征在于，包括以下步骤，

步骤一、制备三元层状陶瓷VSnC粉末；

步骤二、制备透射电镜样品，并置于透射电镜中，在粉末样品中确定表面平整、厚度相同且晶带轴与电子束照射方向平行的区域作为辐照区域；

步骤三、诱导材料发生晶体重构；

所述步骤三中诱导材料发生晶体重构具体操作为：在透射电镜中，设置电子束辐照电压为220kV，辐照时间为5min—15min；

所述材料为VSnC粉末材料。

2.根据权利要求1所述的一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体的电子束辐照处理方法，其特征在于，步骤一中，制备三元层状陶瓷VSnC粉末的方法为：V粉、Sn粉和石墨粉按照摩尔比为2：1.1：1，采用无压烧结技术制备而成。

3.根据权利要求2所述的一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体的电子束辐照处理方法，其特征在于，制备三元层状陶瓷VSnC粉末的无压烧结技术中，烧结温度为1100℃，所述三元层状陶瓷VSnC粉末在60℃下用盐酸浸泡10h，然后用等离子水和无水乙醇过滤清洗。

4.根据权利要求1所述的一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体的电子束辐照处理方法，其特征在于，步骤三中，电子束辐照诱导晶体重构，辐照对象初始相为六角相，重构过程为六角相到面心立方相的转变。

5.根据权利要求1所述的一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体的电子束辐照处理方法，其特征在于，步骤一中，制备获得的三元层状陶瓷VSnC粉末为三方晶系，空间群为。

6.根据权利要求5所述的一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体的电子束辐照处理方法，其特征在于，步骤二中，透射电镜样品VSnC晶体厚度小于100 nm，晶带轴与电子束照射方向平行。

7.根据权利要求6所述的一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体的电子束辐照处理方法，其特征在于，步骤三中，电子束辐照处理样品重构过程中，通过透射电镜观察、记录晶体结构逐步演变的过程。

8.根据权利要求1-7任意一项处理方法获得的一种三元层状陶瓷VSnC晶体，其特征在于，三元层状陶瓷VSnC晶体的实验式为V₁₅Sn₃C₆。