[发明专利]一种声表面滤波器组去耦封装结构

说明书

本发明提出了一种声表面滤波器组去耦封装结构。所述封装结构包括金属封装底座、金属封装帽、接地金属片和金属壁；所述金属封装底座和所述金属封装帽密封键合连接；所述金属封装底座上方设置有所述声表面滤波器组的调谐基板；所述调谐基板上方设有所述声表面滤波器组；所述声表面滤波器组包括多个声表面滤波器芯片；所述调谐基板上表面设置有接地金属片；所述接地金属片用于将每个声表面滤波器芯片所在区域进行分隔；所述接地金属片上方设有金属壁，所述金属壁一端连接所述接地金属片，另一端连接所述金属封装帽；所述调谐基板内部设有内嵌金属导线；所述内嵌金属导线用于将所述声表面滤波器芯片和所述声表面滤波器的调谐电路设置区域进行电连接。

技术领域

本发明提出了一种声表面滤波器组去耦封装结构，属于薄膜滤波器技术领域。

背景技术

声表面波滤波器在封装过程中为了实现良好的去耦效果，常常需要通过每个声表面滤波器进行独立密封的方式进行封装结构的设置，但是，这种方法由于将调谐电路设置与封装结构的外部，导致电路连线复杂，电路抗干扰能力差的情况发生，而现有技术中偶有将调谐电路设置于封装结构内部的设置，虽然简化了电路线路的连接复杂性，但是由于调谐电路与声表面滤波器设置于一个空间内，导致调谐电路的运行所产生的磁场对声表面滤波器造成一定干扰，使声表面滤波器的性能降低。

发明内容

本发明提供了一种声表面滤波器组去耦封装结构，用以解决声表面滤波器组去耦封装结构由于独立封装结构，导致声表面滤波器芯片与调谐电路之间的电路结构复杂，进而易产生电路干扰，导致声表面滤波器性能降低的问题，所采取的技术方案如下：

一种声表面滤波器组去耦封装结构，所述封装结构包括金属封装底座、金属封装帽、接地金属片和金属壁；所述金属封装底座和所述金属封装帽密封键合连接；所述金属封装底座上方设置有所述声表面滤波器组的调谐基板；所述调谐基板上方设有所述声表面滤波器组；所述声表面滤波器组包括多个声表面滤波器芯片；所述调谐基板上表面设置有接地金属片；所述接地金属片用于将每个声表面滤波器芯片所在区域进行分隔；所述接地金属片上方设有金属壁，所述金属壁一端连接所述接地金属片，另一端连接所述金属封装帽；所述调谐基板内部设有内嵌金属导线；所述内嵌金属导线用于将所述声表面滤波器芯片和所述声表面滤波器的调谐电路设置区域进行电连接。

进一步地，所述调谐电路设置区域用于设置所述声表面滤波器的调谐电路，并且，所述调谐电路设置区域设置于所述调谐基板的中心位置；所述声表面滤波器组中的每个声表面滤波器芯片分布于所述调谐电路设置区域四周。

进一步地，所述调谐基板上设置有8个声表面滤波器芯片粘接区域；每个所述表面滤波器芯片粘接区域之间均通过所述接地金属片和金属壁形成的独立密封空间进行隔离设置。

进一步地，所述8个声表面滤波器芯片粘接区域包括四个平行设置粘接区域和四个夹角设置粘接区域；所述平行设置粘接区域是指存在一组对边与所述调谐电路设置区域平行的声表面滤波器芯片粘接区域；所述夹角设置粘接区域是指所述声表面滤波器芯片粘接区域的四个顶角中与所述调谐电路设置区域距离最近的一个顶角之间的直线连线之间的存在锐角夹角范围为40°-60°的声表面滤波器芯片粘接区域。

进一步地，所述平行设置粘接区域边界与所述调谐电路设置区域边界之间的最短垂直距离大于所述夹角设置粘接区域与所述调谐电路设置区域距离最近的一个顶角之间的最短直线距离。

进一步地，所述平行设置粘接区域边界与所述调谐电路设置区域边界之间的最短垂直距离与所述夹角设置粘接区域与所述调谐电路设置区域距离最近的一个顶角之间的最短直线距离之间满足如下关系：