[发明专利]一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺

权利要求书

1.一种沉铜工艺前处理方法，其特征在于，包括以下步骤，

步骤一：准备芯片封装工艺中的所采用的不锈钢钢板作为基材；

步骤二：对沉铜工艺之前的蚀刻生产线中设置至少一组化学药水槽；

步骤三：在化学药水槽中添加混合液，混合液先与不锈钢钢材表面氧化膜参与反应除去氧化膜，然后，再参与化学置换反应形成Cu单质的反应介质。

2.根据权利要求1所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，所述药水槽中添加具有Cu²⁺、H⁺的酸性离子混合溶液。

3.根据权利要求2所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，在所述蚀刻生产线中添加的酸性离子混合溶液为二水合氯化铜（CuCl₂·2H₂O），盐酸（HCl）。

4.根据权利要求2所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，在酸性离子混合溶液中还添有双氧水H₂O₂。

5.根据权利要求2所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，在步骤三之后还包括步骤四，其中，步骤四包括对上述处理之后的不锈钢钢材进行水洗烘干处理。

6.根据权利要求5所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，所述不锈钢钢板在水洗烘干处理之后还需要经过酸洗生产线，在酸洗生产线中设有低浓度的H⁺的酸性溶液。

7.根据权利要求6所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，在酸洗生产线中设有的所述低浓度的H⁺的酸性溶液为低浓度硫酸溶液。

8.根据权利要求7所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，经过酸洗生产线之后的不锈钢钢材再二次水洗、烘干，作为沉铜工艺前备用。

9.根据权利要求1所述的沉铜工艺前处理方法，其特征在于，线速下不锈钢钢板蚀刻量采用5000mm/min钢板蚀刻约3微米。

10.一种芯片封装工艺，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的沉铜工艺前处理方法。