[发明专利]一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺

说明书

本发明公开了一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺，包括以下步骤，步骤一：准备芯片封装工艺中的所采用的不锈钢钢板作为基材；步骤二：对沉铜工艺之前的蚀刻生产线中设置至少一组化学药水槽；步骤三：在化学药水槽中添加混合液，混合液先与不锈钢钢材表面氧化膜参与反应除去氧化膜，然后，再参与化学置换反应形成Cu单质的反应介质。本发明的沉铜工艺前处理方法具有以下优点：采用快速蚀刻和药水洗，通过化学处理，可自由实现控制钢板表面粗糙度，此法高效简单，工作劳动强度大大减轻。

技术领域

本发明属于半导体封装工艺技术领域，尤其涉及一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺。

背景技术

目前，常见沉铜工艺用于PCB基板，在已钻孔的不导电的孔壁基材上，用化学沉积上一层1um左右微薄的化学铜，用以作为后续电镀的基底。我司工艺较为特殊，使用基材为不锈钢钢板，因不锈钢钢板表面钝化的膜与化学铜的沉积结合力差，会在后续工艺流程中铜皮脱落导致污染槽体。常见处理方法均存在各自的技术缺陷：（1）使用Plasma等离子清洗机增大粘合润湿面积，但机器现有载台需重新定制且钢板在腔体内高温易烧伤变形；（2）玻璃蚀刻需要长时间浸入处理耗时占用产能。

发明内容

为解决上述现有技术中的问题，本发明提供了一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺，该发明采用快速蚀刻和酸水洗，通过化学处理，可自由实现控制钢板表面粗糙度（蚀刻深度）。此法高效简单，工作劳动强度大大减轻。

为实现上述目的，本发明的一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺的具体技术方案如下：

一种沉铜工艺前处理方法，包括；

步骤一：准备芯片封装工艺中的所采用的不锈钢钢板作为基材；

步骤二：对沉铜工艺之前的蚀刻生产线中设置至少一组化学药水槽；

步骤三：在化学药水槽中添加混合液，混合液先与不锈钢钢材表面氧化膜参与反应除去氧化膜，然后，再参与化学置换反应形成Cu单质的反应介质。

进一步，所述药水槽中添加具有Cu²⁺、H⁺的酸性离子混合溶液。

进一步，在所述蚀刻生产线中添加的酸性离子混合溶液为二水合氯化铜（CuCl₂·2H₂O），盐酸（HCl）。

进一步，在酸性离子混合溶液中还添有双氧水H₂O₂。

进一步，在步骤三之后还包括步骤四，其中，步骤四包括对上述处理之后的不锈钢钢材进行水洗烘干处理。

进一步，所述不锈钢钢板在水洗烘干处理之后还需要经过酸洗生产线，在酸洗生产线中设有低浓度的H⁺的酸性溶液，

进一步，在酸洗生产线中设有的所述低浓度的H+的酸性溶液为低浓度硫酸溶液。

进一步，经过酸洗生产线之后的不锈钢钢材再二次水洗、烘干，作为沉铜工艺前备用。

进一步，线速下不锈钢钢板蚀刻量采用5000mm/min钢板蚀刻约3微米。

一种芯片封装工艺，包括上述的沉铜工艺前处理方法。

本发明的沉铜工艺前处理方法具有以下优点：采用快速蚀刻和药水洗，通过化学处理，可自由实现控制钢板表面粗糙度（蚀刻深度）。此发明的方法高效简单，在实际生产中，工作劳动强度大大减轻。

附图说明

图1为本发明提出蚀刻前外观图；

图2为本发明提出蚀刻酸洗后外观图。

具体实施方式

为了更好地了解本发明的目的、结构及功能，下面结合附图1-2，对本发明一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺，做进一步详细的描述。