[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

多个第一层深线和多个第一层浅线，其中，所述第一层深线和所述第一层浅线中的每个均位于衬底上的晶体管之上的第一导电层中；以及

多个第二层深线和多个第二层浅线，其中，所述第二层深线和所述第二层浅线中的每个均位于所述第一导电层之上的第二导电层中。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，还包括：

传导路径，具有至少一个第一层深线和至少一个第二层深线，并不包括所述第一层浅线和所述第二层浅线。

3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

传导路径，具有低电阻率部分和低电容率部分，其中，所述低电阻率部分连接至第一有源器件的输出，并且其中，所述低电容率部分连接至第二有源器件的输入；

其中，所述低电阻率部分包括至少一个第一层深线或至少一个第二层深线，并不包括所述第一层浅线和所述第二层浅线；并且

其中，所述低电容率部分包括至少一个第一层浅线或至少一个第二层浅线，并不包括所述第一层深线和所述第二层深线。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中：

所述低电阻率部分包括至少一个第一层深线和至少一个第二层深线；以及

所述低电容率部分包括至少一个第一层浅线和至少一个第二层浅线。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述低电阻率部分通过所述第一导电层与所述第二导电层之间的通孔连接件连接至所述低电容率部分。

6.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述低电阻率部分通过扇出节点连接至所述低电容率部分。

7.一种集成电路，包括：

多个第一层深线和多个第一层浅线，其中，所述第一层深线和所述第一层浅线中的每个均位于第一导电层中；

传导路径，具有低电阻率部分和低电容率部分，其中，所述低电阻率部分连接至第一有源器件的输出，并且所述低电容率部分连接至第二有源器件的输入；

其中，所述低电阻率部分包括至少一个第一层深线并不包括所述第一层浅线；以及

其中，所述低电容率部分包括至少一个第一层浅线并不包括所述第一层深线。

8.根据权利要求7所述的集成电路，还包括：

多个第二层深线和多个第二层浅线，其中，所述第二层深线和所述第二层浅线中的每个均位于所述第一导电层之上的第二导电层中；

其中，所述低电阻率部分还包括至少一个第二层深线并不包括所述第二层浅线；以及

其中，所述低电容率部分包括至少一个第二层浅线并不包括所述第二层深线。

9.一种制造集成电路的方法，包括：

在第一绝缘层中制造在第一方向上延伸的第一层深线和第一层浅线；

在第二绝缘层中制造通孔连接件、第二层深线和第二层浅线，其中，所述第二层深线和所述第二层浅线在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

其中，所述通孔连接件中的一个将所述第二层深线中的一个与所述第一层浅线中的一个连接，或将所述第二层浅线中的一个与所述第一层深线中的一个连接。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述第一绝缘层中形成用于所述第一层深线的深沟槽和用于所述第一层浅线的浅沟槽。