[发明专利]半导体装置与其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一半导体鳍片，在一基板上方；

一隔离层，在该基板上方且相邻该半导体鳍片；

一介电鳍片结构，在该绝缘层上方，且包含：

一底部介电鳍片，其中该隔离层围绕该底部介电鳍片的一底部；及

一顶部介电鳍片，在该底部介电鳍片上方，且与该隔离层间隔开；及一栅极结构，跨越该半导体鳍片及该介电鳍片结构，其中与该隔离层接触的该栅极结构的一部分具有一第一宽度，而与该顶部介电鳍片接触的该栅极结构的另一部分具有大于该第一宽度的一第二宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该底部介电鳍片的一碳浓度大于该顶部介电鳍片的一碳浓度。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该顶部介电鳍片的一顶表面是圆角的。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该底部介电鳍片在其中具有一缝隙，且该顶部介电鳍片覆盖该底部介电鳍片的该缝隙。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该底部介电鳍片的一顶表面包含在该缝隙的相对侧上的两个凸起部分。

6.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一通道层，在一基板的一基座部分上方；

一隔离层，接触该基板的该基座部分；

一介电鳍片结构，突出于该隔离层，且包含：

一底部介电鳍片，接触该隔离层；及

一顶部介电鳍片，在该底部介电鳍片上方，其中该顶部介电鳍片的一底表面为凹的；

一栅极结构，包覆于该通道层周围且跨越该介电鳍片结构；及

一源极/漏极磊晶结构，连接至该通道层且相邻该介电鳍片结构，其中该源极/漏极磊晶结构具有面向该介电鳍片结构的一侧壁，且该源极/漏极磊晶结构的该侧壁不平行于该介电鳍片结构的该顶部介电鳍片的一侧壁。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该顶部介电鳍片的该底表面包含一最底部分及在该最底部分相对侧上的两个凹入部分。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该顶部介电鳍片与该隔离层间隔开。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

在一基板上方形成一第一鳍片及一第二鳍片；

在该第一鳍片及该第二鳍片以及该基板上方沉积一隔离层，使得在该隔离层中且在该第一鳍片与该第二鳍片之间形成一沟槽；

在该隔离层的该沟槽中沉积一第一介电鳍片层；

回蚀该第一介电鳍片层以形成一底部介电鳍片及在该隔离层中且在该底部介电鳍片上方的一凹槽；

沉积一第二介电鳍片层于该凹槽中且在该底部介电鳍片上方；

执行一平坦化制程以移除该第二介电鳍片层及该隔离层的多个部分，直到暴露该第一鳍片及该第二鳍片的多个顶表面；

执行一蚀刻制程以使该隔离层凹陷，使得该第二介电鳍片层的一剩余部分及该底部介电鳍片的一部分突出于该凹陷隔离层；及

在该第二介电鳍片层的该剩余部分、该底部介电鳍片、以及该第一鳍片及该第二鳍片上方形成一栅极结构。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该蚀刻制程以一第一蚀刻速率蚀刻该隔离层，以一第二蚀刻速率蚀刻该第一介电鳍片层，且以一第三蚀刻速率蚀刻该第二介电鳍片层，其中该第一蚀刻速率高于该第三蚀刻速率，且该第三刻蚀速率高于该第二刻蚀速率。