[发明专利]晶片支撑台

说明书

本发明提供一种晶片支撑台，其能够改善晶片外周部的均热性。本发明的晶片支撑台具备：具有晶片载置面的陶瓷基体和埋设于陶瓷基体的多个加热器。陶瓷基体从晶片载置面朝着与晶片载置面相反侧的面依次具有第一加热器形成面、第二加热器形成面以及第三加热器形成面。多个加热器包括设置于第一加热器形成面的第一加热器、设置于第二加热器形成面的第二加热器以及设置于第三加热器形成面的第三加热器。第一加热器以位于陶瓷基体的中心的方式设置。第二加热器以位于第一加热器的外周的方式设置。第三加热器以与第二加热器重叠的方式设置并分别设置于将第三加热器形成面通过半径方向的线段分割成多个而成的区域中。

技术领域

本发明涉及晶片支撑台。

背景技术

以往，已知有在对晶片进行基于等离子体CVD的成膜处理等时使用的陶瓷制的晶片支撑台，其中，用于加热晶片的加热器配置为多层。例如，在专利文献1中记载了电气独立的多层加热器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6758143号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，这样的晶片支撑台虽然能够防止中心部的温度因来自轴的散热而降低，但由于来自晶片支撑台的外周的影响，均热性有可能恶化。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于改善晶片外周部的均热性。

用于解决课题的手段

本发明的晶片支撑台具备：具有晶片载置面的陶瓷基体、和埋设于所述陶瓷基体的多个加热器，

所述陶瓷基体从所述晶片载置面朝着与所述晶片载置面相反侧的面依次具有第一加热器形成面、所述第二加热器形成面以及所述第三加热器形成面，

所述多个加热器包括设置于所述第一加热器形成面的第一加热器、设置于所述第二加热器形成面的第二加热器以及设置于所述第三加热器形成面的第三加热器，

所述第一加热器以位于所述陶瓷基体的中心的方式设置，

所述第二加热器以位于所述第一加热器的外周的方式设置，

所述第三加热器以与所述第二加热器重叠的方式设置，并分别设置于将所述第三加热器形成面通过半径方向的线段分割成多个而成的区域中。

在本发明的晶片支撑台中，由于在将第三加热器形成面通过半径方向的线段分割成多个而成的区域中分别具有第三加热器，因此能够对多个第三加热器分别进行温度控制，由此，能够抑制由外周部因素引起的对均热性的影响。另外，通过将第一加热器埋设于与其他加热器的形成面不同且更靠近晶片载置面的位置，从而其他加热器的跳线不会穿过，第一加热器的设计自由度变高，均热性提高。

附图说明

图1是等离子体产生装置所使用的晶片支撑台的截面图。

图2是表示线圈状的加热器与跳线的关系的说明图。

图3是陶瓷基体的第一加热器形成面的俯视图。

图4是陶瓷基体的第二加热器形成面的俯视图。

图5是陶瓷基体的第三加热器形成面的俯视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的优选实施方式进行说明。图1是等离子体产生装置所使用的晶片支撑台的截面图，图2是表示线圈状的加热器与跳线的关系的说明图，图3～图5是陶瓷基体的第一～第三加热器形成面的俯视图。在图3～图5中，用阴影线表示线圈状的加热器。

晶片支撑台具备：具有晶片载置面的陶瓷基体、埋设于陶瓷基体的多个加热器、以及设置于陶瓷基体的与晶片载置面相反侧的面的筒状的轴。