[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件

权利要求书

1.晶圆单面化学镀方法，其特征在于，包括：

提供一侧形成Taiko环的晶圆；

将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密相连；

将所述紧密相连的两个所述晶圆进行化学镀处理；

分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆。

2.根据权利要求1所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于，将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密连接包括：在至少一个所述晶圆的Taiko环端面涂覆临时键合胶，将两个所述晶圆的Taiko环端面粘接，然后固化处理。

3.根据权利要求2所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述临时键合胶包括溶剂型键合胶或热熔型键合胶。

4.根据权利要求3所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述临时键合胶采用溶剂型键合胶，所述溶剂型键合胶包括聚酰亚胺和/或醇溶性聚氨酯；

所述分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆包括：利用有机溶剂溶解所述化学镀处理后的两个所述晶圆间的所述临时键合胶，或者，沿所述化学镀处理后的两个所述晶圆的键合面切割，令两个所述晶圆分离。

5.根据权利要求4所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述临时键合胶采用聚酰亚胺；

所述固化处理的温度为250℃～300℃，时间为2h～4h；

所述分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆包括：利用有机溶剂溶解所述化学镀处理后的两个所述晶圆间的所述临时键合胶，令两个所述晶圆分离；所述有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮或N-甲基吡咯烷酮与氟化铵的混合溶剂；所述溶解的温度为40℃～90℃，所述溶解的时间为10min～50min。

6.根据权利要求4所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述临时键合胶采用醇溶性聚氨酯，

所述固化处理的温度为25℃～40℃，时间为2天～3天或温度为70℃～100℃，时间为30min～90min；

所述分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆包括：利用有机溶剂溶解所述化学镀处理后的两个所述晶圆间的所述临时键合胶，令两个所述晶圆分离；所述有机溶剂包括异丙醇、乙醇和丁醇中的至少一种，所述溶解温度为15℃～35℃，所述溶解时间为30s～90s。

7.根据权利要求3所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述临时键合胶采用热熔型键合胶，所述热熔型键合胶包括聚碳酸酯树脂；

所述分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆包括：对所述化学镀处理后的两个所述晶圆间的所述临时键合胶进行加热解键合，令两个所述晶圆分离，或者，沿所述化学镀处理后的两个所述晶圆的键合面切割，令两个所述晶圆分离。

8.根据权利要求7所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述临时键合胶采用聚碳酸酯树脂，所述固化处理的温度为120℃～150℃，时间为5min～10min；

所述分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆包括：对所述化学镀处理后的两个所述晶圆间的所述临时键合胶进行加热解键合，令两个所述晶圆分离；所述解键合温度为220℃～280℃，时间为1h～3h。

9.半导体器件制造方法，其特征在于：包括如权利要求1-8任一项所述的晶圆单面化学镀方法。

10.半导体器件，其特征在于：采用如权利要求9所述的半导体器件制造方法制造而成。