[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件

说明书

本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密相连；将所述紧密相连的两个所述晶圆进行化学镀处理；分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，且化学镀时可两片晶圆为一组同时作业，有效提高了化学镀的作业效率，也避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生，对产品的外观及应用的可靠性都有所提升。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造及半导体器件。

背景技术

化学镀是半导体制程中的常见工序，可分为单面镀和双面镀。特别是对于单面化学镀工艺，需要在晶圆的背面覆膜，通常采用UV膜，利用保护膜避免背面金属层与化学药剂接触，化学镀完成后，再将覆膜揭除。而晶圆通常在化学镀前需进行减薄，Taiko减薄工艺由日本DISCO公开研发而成，Taiko减薄工艺并不是对晶圆的某个面整面减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，这样就令晶圆的边缘形成一圈较厚的支撑环，该支撑环通常被称为Taiko环。

如图1所示，晶圆经过Taiko减薄工艺后形成图1中的结构，即中间减薄部1和边缘的Taiko环2，Taiko环2与中间减薄部1的连接处形成台阶，现有单面化学镀工艺中，对晶圆背面贴膜时Taiko环2已经形成，由于Taiko环2台阶差的存在，贴于晶圆背面的保护膜3并不能与晶圆良好贴合，Taiko环2台阶处在化学镀液中容易发生漏液问题（图1中圆圈处所示），导致晶圆背面的金属层与化学药剂接触，会对产品的外观及应用的可靠性造成一定的影响。

发明内容

本发明首先公开一种晶圆单面化学镀方法，省去了化学镀之前的贴膜步骤以及化学镀之后的揭膜步骤，不仅简化了生产工艺、节约了制造成本、提高了化学镀作业效率，还可以有效避免单面化学镀环节发生漏液问题。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案为：

一种晶圆单面化学镀方法，包括：

提供一侧形成Taiko环的晶圆；

提供一侧形成Taiko环的晶圆；

将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密相连；

将所述紧密相连的两个所述晶圆进行化学镀处理；

分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆。

进一步，将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密连接包括：在至少一个所述晶圆的Taiko环端面涂覆临时键合胶，将两个所述晶圆的Taiko环端面粘接，然后固化处理。

进一步，所述临时键合胶包括溶剂型键合胶或热熔型键合胶。

进一步，所述临时键合胶采用溶剂型键合胶，所述溶剂型键合胶包括聚酰亚胺和/或醇溶性聚氨酯；

所述分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆包括：利用有机溶剂溶解所述化学镀处理后的两个所述晶圆间的所述临时键合胶，或者，沿所述化学镀处理后的两个所述晶圆的键合面切割，令两个所述晶圆分离。

进一步，所述临时键合胶采用聚酰亚胺；

所述固化处理的温度为250℃～300℃，时间为2h～4h；

所述分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆包括：利用有机溶剂溶解所述化学镀处理后的两个所述晶圆间的所述临时键合胶，令两个所述晶圆分离；所述有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮或N-甲基吡咯烷酮与氟化铵的混合溶剂；所述溶解的温度为40℃～90℃，所述溶解的时间为10min～50min。

进一步，所述临时键合胶采用醇溶性聚氨酯，

所述固化处理的温度为25℃～40℃，时间为2天～3天或温度为70℃～100℃，时间为30min～90min；