[发明专利]晶圆贴合膜及其制造方法

说明书

提供了晶圆贴合膜及其制造方法。所述晶圆贴合膜包括：基材膜；压感材料层，设置在所述基材膜上；粘合层，设置在所述压感材料层上；以及贴片膜，设置在所述粘合层上。所述制造晶圆贴合膜的方法，包括：制备基材膜；在所述基材膜上设置压感材料层；在所述压感材料层上设置粘合层；以及在所述粘合层上设置贴片膜。

技术领域

发明构思的示例性实施例涉及半导体封装领域，具体地讲，涉及一种晶圆贴合膜以及一种制造该晶圆贴合膜的方法。

背景技术

半导体器件的制造工艺包括将其上具有设计完成的多个器件电路图案的整体晶圆分割成单个晶片的划片工艺。晶圆贴合膜DAF(die attach film)是用于制造半导体芯片的材料。在划片工艺中，通常将晶圆贴合到DAF上，再将晶圆切割为单独的半导体芯片。

图1示出了根据现有技术的晶圆贴合膜。图2示出了根据现有技术的晶圆贴膜工艺。晶圆贴合膜可以由多个材料层形成。如图1所示，晶圆贴合膜10可以包括基材膜20、粘合层30和贴片膜40。如图2所示，在传统的封装过程中，在晶圆1被减薄之后，使用贴膜设备将晶圆贴合膜10贴合到晶圆1的背面。具体地，晶圆1的正面可以是形成有电路图案的表面。晶圆保护膜2贴合在晶圆1的正面以保护电路图案。当晶圆1放置在贴膜设备的台盘3上时，晶圆保护膜2可以位于晶圆1的形成有电路图案的表面与台盘3的上表面之间，从而保护电路图案避免受到磨损。晶圆贴合膜10中的贴片膜40的下表面贴合在晶圆1的背面。贴膜设备的压辊4接触晶圆贴合膜10中的基材膜20的上表面。压辊4在工作时沿着水平方向前进，同时沿着竖直方向对基材膜20施加压力。所述压力传递到贴片膜40与晶圆1的结合界面处，使晶圆贴合膜10紧密贴合在晶圆1上。

图3示出了根据现有技术的半导体封装结构。在完成图2中所示的晶圆贴膜工艺之后，可以执行划片工艺，即，可以对晶圆1进行切割以将其分割成多个彼此独立的小芯片。图3所示的半导体封装结构包括所述多个小芯片中的一个芯片11。接下来，可以通过芯片拾取设备将芯片11拾取并贴装到印刷电路板5上。在执行划片时，贴片膜40可以与晶圆1一起被分割成多个彼此独立的小块。在执行拾取时，一小块贴片膜41可以与粘合层30分离并粘附在芯片11的背面。然后，芯片11可以通过这一小块贴片膜41贴装在印刷电路板5上。

粘合层30通常是光敏材料，其具有较高的粘性以保证在切割晶圆1时芯片不会从基材膜20上掉落。在晶圆分割之后，可以使用紫外光(UV)进行照射，粘合层30的粘性大大降低，使得芯片拾取设备可以从基材膜20上拾取芯片11。如果芯片很小，也可以使用非光敏的粘合层。

在量产过程中，晶圆减薄和贴膜时可能会出现以下问题：①减薄设备异常，导致晶圆厚度出现异常，同一片晶圆上的不同区域处的厚度差异大，或者不同晶圆之间的厚度差异大；②贴膜设备的台盘的水平度、压辊的水平度异常，导致贴膜过程中晶圆所受的应力出现异常。当前的设备、材料和工艺无法及时反应出这些异常。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此，以上信息可能包含不形成对于本领域技术人员来说在该国家已经知晓的现有技术的信息。

发明内容

发明构思的示例性实施例公开了一种能够在连续的量产过程中通过颜色的变化实时并直观地反映出设备的状态的晶圆贴合膜。发明构思的示例性实施例还公开了一种制造该晶圆贴合膜的方法。

根据发明构思的一方面，一种晶圆贴合膜包括基材膜；压感材料层，设置在所述基材膜上；粘合层，设置在所述压感材料层上；以及贴片膜，设置在所述粘合层上。

优选地，所述基材膜、所述压感材料层和所述粘合层可以均为圆形并且具有第一直径，所述贴片膜可以为圆形并且具有第二直径，所述第一直径可以大于所述第二直径。

优选地，所述压感材料层可以包括顺序地堆叠的至少一个感应层。

优选地，所述至少一个感应层可以在受到压力时发生外观变化。