[发明专利]一种超低吸收的CO2

权利要求书

1.一种超低吸收的CO₂激光双面增透膜，其特征在于：其结构为：Air/qHpL/Sub/pLqH/Air；其中，Sub代表基底；H代表高折射率膜料ZnSe膜层，高折射率膜料ZnSe膜层的折射率为2～3；L代表低折射率膜层，L为两种低折射率膜料L₁膜层和L₂膜层的混合膜层，两种低折射率膜料L₁膜层和L₂膜层的折射率均为1～1.6，低折射率膜料L₁膜层和低折射率膜料L₂膜层所用材料不同，低折射率膜料L₁膜层：低折射率膜料L₂膜层的光学厚度比例控制在1：3～1：6；p、q分别代表各膜层的光学厚度系数。

2.如权利要求1所述的超低吸收的CO₂激光双面增透膜，其特征在于：低折射率膜料L₁膜层为YF₃膜层或YbF₃膜层，低折射率膜料L₂膜层为BaF₂膜层。

3.如权利要求1或2所述的超低吸收的CO₂激光双面增透膜，其特征在于：基底所用材料为硒化锌，厚度为3±0.2mm。

4.如权利要求1或2所述的超低吸收的CO₂激光双面增透膜，其特征在于：其结构为：Air/0.2H(amL₁ anL₂)/Sub/(anL₂ amL₁)0.2H/Air，其中，H代表ZnSe膜层，L₁代表YF₃膜层，L₂代表BaF₂膜层，其中am:an＝i，3≤i≤6。

5.权利要求1-4任意一项所述的超低吸收的CO₂激光双面增透膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)基底加热：镀膜前对基底在抽真空状态下进行烘烤加热，提高基底温度，烘烤温度为150℃～250℃，时间为1～1.5h；

(2)离子束清洗：对基底进行离子束清洗，离子清洗时长为1～15min，离子束电压为200～400V，离子束流为1～8A；

(3)基底正面膜系镀制：根据膜系设计中的膜系结构，在基底正面依次镀制各膜层；

(4)基底背面膜系镀制：正面膜系镀制完成后，取出元件，重复步骤(1)～(2)对反面各膜层依次镀制。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，烘烤前，用无尘布蘸环保擦拭液和丙酮体积比为(6-8):1的混合液擦拭基底。

7.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)和步骤(4)中，ZnSe膜层镀制：将ZnSe膜料放到坩埚或者钼皮舟中，采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制，其本底真空度高于9.5×10^-4Pa，沉积速率为1-2nm/s。

8.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)和步骤(4)中，YF₃膜层或YbF₃膜层与BaF₂膜层是同时蒸发。

9.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)和步骤(4)中，YF₃膜层镀制：将YF₃膜料放到坩埚或者钼皮舟中，采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制，其本底真空度高于9.5×10^-4Pa，沉积速率为0.5-1nm/s；YbF₃膜层镀制：将YbF₃膜料放到坩埚或者钼皮舟中，采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制，其本底真空度高于9.5×10^-4Pa，沉积速率为0.5-1nm/s。

10.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)和步骤(4)中，BaF₂膜层镀制：将BaF₂膜料放到坩埚或者钼皮舟中，采用电子束蒸发或者电阻加热的方法进行镀制，其本底真空度高于9.5×10^-4Pa，沉积速率为1-3nm/s。