[发明专利]一种金属晶体生长方法及装置

权利要求书

1.一种金属晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括：

将籽晶和原料置于生长腔体内；

通过加热组件加热所述生长腔体，以熔化所述原料；

基于所述籽晶和熔融原料进行金属晶体生长，在所述金属晶体生长过程中，

通过监控组件获取所述生长腔体内的温度分布；

基于所述温度分布，调节所述加热组件的加热相关参数和运动组件的运动相关参数，使所述金属晶体生长过程的温度梯度小于预设梯度阈值，进一步包括：

通过所述运动组件，以预设下降速率下降所述生长腔体的同时以预设旋转速率旋转所述生长腔体，同时通过所述加热组件，以预设降温速率执行降温过程，其中，所述下降速率低于下降速率阈值；

所述旋转速率低于旋转速率阈值；

所述预设降温速率低于降温速率阈值；

下降预设距离后，停止旋转所述生长腔体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述生长腔体置于温场装置内；

所述加热组件包括：

第一加热部件，所述第一加热部件环绕设置于所述温场装置外周且所述第一加热部件的高度大于预设高度阈值；

第二加热部件，所述第二加热部件设置于所述生长腔体的上部和/或下部。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述温场装置的厚度大于预设厚度阈值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长腔体包括筒体，所述筒体为上宽下窄的锥形，所述锥形的倾斜度位于预设倾斜度范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述运动组件包括旋转部件和升降部件，所述运动相关参数包括旋转参数和/或升降参数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述温度分布，调节所述加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数包括：

将所述温度分布输入控制模型，确定所述加热组件的加热控制参数和/或运动组件的运动控制参数，所述控制模型基于历史数据确定和/或调整；

分别基于所述加热控制参数和/或所述运动控制参数，控制所述加热组件的所述加热相关参数和/或所述运动组件的所述运动相关参数。

7.一种金属晶体生长装置，其特征在于，所述装置包括：

生长腔体，用于放置籽晶和原料；

加热组件，用于提供所述金属晶体生长所需的热量；

监控组件，获取所述生长腔体的温度分布；

控制组件，基于所述温度分布，调节所述加热组件的加热相关参数和运动组件的运动相关参数使所述金属晶体生长过程的温度梯度小于预设梯度阈值，进一步用于：

控制所述运动组件，以预设下降速率下降所述生长腔体的同时以预设旋转速率旋转所述生长腔体，同时控制所述加热组件，以预设降温速率执行降温过程，其中，

所述下降速率低于下降速率阈值；

所述旋转速率低于旋转速率阈值；

所述预设降温速率低于降温速率阈值；

下降预设距离后，停止旋转所述生长腔体。