[发明专利]一种金属晶体生长方法及装置

说明书

本说明书实施例提供一种金属晶体生长方法及装置，该方法包括将籽晶和原料置于生长腔体内；通过加热组件加热所述生长腔体，以熔化所述原料；基于所述籽晶和熔融原料进行晶体生长，在所述晶体生长过程中，通过监控组件获取所述生长腔体内的温度分布；基于所述温度分布，调节所述加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数，使所述晶体生长过程的温度梯度小于预设梯度阈值。

技术领域

本说明书涉及晶体制备技术领域，特别涉及一种金属晶体生长方法及装置。

背景技术

生长超长金属晶体(例如，长度1.5m以上)时，一般需经过至少两次结晶生长至少两个金属晶体，然后将至少两个金属晶体进行上下拼接，形成超长金属晶体，工艺繁琐且拼接过程会影响晶体质量。另外，在金属晶体生长过程中，金属晶体直径的增加会导致热应力增加，进而可能导致金属晶体中间开裂，影响晶体质量。因此，有必要提供一种金属晶体生长方法及装置，以保证金属晶体不开裂的同时生长超长金属晶体。

发明内容

本说明书实施例之一提供一种金属晶体生长方法。所述方法包括：将籽晶和原料置于生长腔体内；通过加热组件加热所述生长腔体，以熔化所述原料；基于所述籽晶和熔融原料进行晶体生长，在所述晶体生长过程中，通过监控组件获取所述生长腔体内的温度分布；基于所述温度分布，调节所述加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数，使所述晶体生长过程的温度梯度小于预设梯度阈值。

本说明书实施例之一提供一种金属晶体生长装置，其特征在于，所述装置包括：生长腔体，用于放置籽晶和原料；加热组件，用于提供所述晶体生长所需的热量；监控组件，获取所述生长腔体的温度分布；控制组件，基于所述温度分布，调节所述加热组件的加热相关参数和/或所述运动组件的运动相关参数使所述晶体生长过程的温度梯度小于预设梯度阈值。

附图说明

本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：

图1是根据本说明书一些实施例所示的金属晶体生长方法的示例性流程图；

图2是根据本说明书又一些实施例所示的调节加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数的示例性流程图；

图3是根据本说明书又一些实施例所示的调节加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数的示例性流程图；

图4是根据本说明书又一些实施例所示的调节加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数的示例性流程图；

图5是根据本说明书又一些实施例所示的调节加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数的示例性流程图；

图6是根据本说明书一些实施例所示的示例性金属晶体生长装置的结构示意图；

图7是根据本说明书一些实施例所示的示例性局部金属晶体生长装置的结构示意图；

图8是根据本说明书又一些实施例所示的示例性局部金属晶体生长装置的结构示意图；

图9A是根据本说明书一些实施例所示的示例性第一加热部件的结构示意图；

图9B是根据本说明书一些实施例所示的示例性第一加热部件的俯视图；

图10是根据本说明书一些实施例所示的示例性生长腔体的结构示意图；

图11是根据本说明书又一些实施例所示的示例性生长腔体的结构示意图；

图12是根据本说明书又一些实施例所示的示例性生长腔体的结构示意图；

图13是根据本说明书又一些实施例所示的示例性生长腔体的结构示意图；