[发明专利]包含半导体布局以减轻局部布局效应的设备

权利要求书

1.一种设备，其包括：

多个标准单元，每一单元包含：

有源区；

隔离区，其邻近所述有源区；

第一栅极结构，其经安置在所述有源区及所述隔离区上，

其中所述第一栅极结构包含：

第一栅极部分，其经安置在所述有源区上；及

第一接触部分，其经安置在所述隔离区上，所述第一接触部分包含经配置以连接到第一接触件的第一接触点；及

第二栅极结构，其经安置在所述有源区及所述隔离区上，

其中所述第二栅极结构包含：

第二栅极部分，其经安置在所述有源区上；及

第二接触部分，其经安置在所述隔离区上，所述第二接触部分包含经配置以连接到第二接触件的第二接触点，

其中所述第一接触点与所述第一栅极部分之间的距离基本上等于所述第二接触点与所述第二栅极部分之间的距离。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分的第一长度基本上等于所述第二栅极部分的第二长度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分的第一宽度基本上等于所述第二栅极部分的第二宽度。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分的第一宽度与所述第二栅极部分的第二宽度不同。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一接触部分及所述第二接触部分沿着平行于所述有源区的边缘的直线安置。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一接触部分及所述第二接触部分中的每一者具有相同形状。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二接触部分经安置在所述有源区的相对于所述第一接触部分的相对侧上的所述隔离区上。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分包含弯曲部分。

9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括经配置以将所述第一栅极结构耦合到所述第二栅极结构的金属部分。

10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括经配置以通过所述第一及第二接触件将所述第一栅极结构耦合到所述第二栅极结构的多晶桥。

11.一种标准单元，其包括：

隔离区；

多个有源区，其在所述隔离区中；及

多个栅极结构，其分别经安置在所述多个有源区上方；

其中所述多个栅极结构中的每一者包含：

第一栅极部分，其经安置在所述有源区上；

第一部分，其经安置在所述隔离区上，所述第一部分包含经配置以连接到第一接触件的第一接触点；

第一端部分；

第二部分，其经安置在所述隔离区上，所述第二部分包含经配置以连接到第二接触件的第二接触点；及

第二端部分，

其中所述第一栅极部分与所述多个栅极结构中的每一者的所述接触点之间的距离基本上相等。

12.根据权利要求11所述的标准单元，其中所述第一部分经配置以使所述第一接触件与其连接且所述第二部分经配置以使所述第二接触件与其连接，且其中所述第一接触件与所述第一栅极部分之间的距离基本上等于所述第二接触件与所述第二栅极部分之间的距离。

13.根据权利要求11所述的标准单元，其中所述第一部分的面积基本上等于所述第二部分的面积。

14.根据权利要求11所述的标准单元，其中所述第一端部分的面积基本上等于所述第二端部分的面积。