[发明专利]混合键合结构及混合键合方法

权利要求书

1.一种混合键合结构，包括相对设置的第一晶圆和第二晶圆；其特征在于，

所述第一晶圆具有至少一第一金属走线，所述第一金属走线上覆盖有第一键合层，所述第一键合层中阵列分布有多个第一键合垫；

所述第二晶圆具有至少一第二金属走线，所述第二金属走线上覆盖有第二键合层，所述第二键合层中阵列分布有多个第二键合垫；

其中，所述第一金属走线与键合在一起的键合垫组中的所述第一键合垫电性连接，所述第二金属走线与所述键合垫组中的所述第二键合垫电性连接。

2.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述多个第一键合垫与所述多个第二键合垫相对设置，并两两键合。

3.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述多个第一键合垫暴露的上表面与所述第一键合层的上表面齐平，所述多个第二键合垫暴露的上表面与所述第二键合层的上表面齐平。

4.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述第一金属走线通过贯穿所述第一键合层的第一通道与所述第一键合垫电性连接，所述第二金属走线通过贯穿所述第二键合层的第二通道与所述第二键合垫电性连接，所述第一通道与所述第二通道的正投影至少部分重合。

5.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述第一键合层包括覆盖所述第一金属走线的第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层上的第一键合界面绝缘层；以及

所述第二键合层包括覆盖所述第二金属走线的第二绝缘层和形成于所述第二绝缘层上的第二键合界面绝缘层。

6.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述第一金属走线形成于所述第一晶圆的顶层金属层中，所述第二金属走线形成于所述第二晶圆的顶层金属层中。

7.一种混合键合方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供待键合的具有至少一第一金属走线的第一晶圆，在所述第一金属走线上形成第一键合层，根据预先设计的EDA路径在所述第一键合层中形成阵列分布的多个第一键合垫，且至少一所述第一键合垫与所述第一金属走线电性连接；

提供待键合的具有至少一第二金属走线的第二晶圆，在所述第二金属走线上形成第二键合层，根据所述预先设计的EDA路径在所述第二键合层中形成阵列分布的多个第二键合垫，且至少一所述第二键合垫与所述第二金属走线电性连接；

将所述第一键合垫与对应的所述第二键合垫键合，其中，所述第一金属走线与键合在一起的键合垫组中的所述第一键合垫电性连接，所述第二金属走线与所述键合垫组中的所述第二键合垫电性连接。

8.如权利要求7所述的混合键合方法，其特征在于，所述多个第一键合垫暴露的上表面与所述第一键合层的上表面齐平，所述多个第二键合垫暴露的上表面与所述第二键合层的上表面齐平。

9.如权利要求7所述的混合键合方法，其特征在于，所述的根据预先设计的EDA路径在所述第一键合层中形成阵列分布的多个第一键合垫，且至少一所述第一键合垫与所述第一金属走线电性连接的步骤进一步包括：根据预先设计的EDA路径，形成贯穿所述第一键合层的至少一第一通道，并在所述第一键合层中形成阵列分布的多个第一键合垫，所述第一金属走线通过所述第一通道与所述第一键合垫电性连接；以及

所述的根据所述预先设计的EDA路径在所述第二键合层中形成阵列分布的多个第二键合垫，且至少一所述第二键合垫与所述第二金属走线电性连接的步骤进一步包括：根据所述预先设计的EDA路径，形成贯穿所述第二键合层的至少一第二通道，并在所述第二键合层中形成阵列分布的多个第二键合垫，所述第一金属走线通过所述第一通道与所述第一键合垫电性连接；

其中，在所述第一键合垫与对应的所述第二键合垫键合后，所述第一通道与所述第二通道的正投影至少部分重合。