[发明专利]一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置

说明书

本发明提出的一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置，涉及蚀刻设备技术领域。蚀刻线滚轮包括轮轴和若干轮片，若干轮片间隔设置在轮轴上，且相对于轮轴的中线对称分布；并且，从轮轴的中线至其两端方向上的各轮片的直径依次递减。蚀刻传送线包括所述的蚀刻线滚轮；沿输送方向上，若干蚀刻线滚轮水平平行间隔排布。蚀刻装置包括所述的蚀刻传送线，以及设置在所述的蚀刻传送线上侧的上侧喷淋装置，和/或设置在所述的蚀刻传送线下侧的下侧喷淋装置。本发明通过改进蚀刻线滚轮的结构，使得蚀刻传送线的输送面呈凸面，进而使得在线传输时金属掩膜版中间高于其两侧，药液直接向低两侧处流走，不会聚集，彻底避免了“水池效应”的产生。

技术领域

本发明涉及蚀刻设备技术领域，尤其涉及一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置。

背景技术

目前，随着有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitted Diode)、有源矩阵有机发光二极体(AMOLED，Active-matrix organic light-emitting diode)等显示技术在日趋成熟，金属掩膜版作为制备OLED这类显示面板的重要器件，已逐步成为各上游厂商争相布局的产品。

金属掩膜版上的图案一般都是通过蚀刻制成。当金属掩膜版在显影机、蚀刻机中通过药水反应加工时，药水容易聚集在金属掩膜版中某些位置无法流走(也即是行业内常说的“水池效应”)，最终导致金属掩膜版上图案的尺寸精度和位置精度变差。目前，行业内已经有一些解决上述“水池效应”问题的方案，但效果均不理想，例如：

现有一种消除水池效应的方法及装置(中国专利，公开号：CN101754583A，公开日：2010.06.23)，其中公开的解决方法为：设计水池效应孔的钻孔程式；根据上述钻孔程式在电路板上钻出相应的孔；将钻孔后的电路板进行蚀刻，获得需要的线路，以消除水池效应。

又有，一种减少水池效应的蚀刻装置(中国专利，公开号：CN205961592U，公开日：2017.02.15)，该蚀刻装置包括蚀刻槽、喷管和喷嘴，蚀刻槽内紧密排列有多个平行的轮片，轮片上放置有带蚀刻的PCB板，蚀刻槽内安装有平行的管道，且管道设置在轮片的两侧，喷管连接在平行的两根管道之间，且喷管设置在PCB板的上方，喷管上均匀设置的多个喷嘴到PCB板板面的垂直距离从板中心到板边缘依次递增，板中心流速最快，而边缘的流速最慢；不同的流速设置，可提高板中心蚀刻药水向两侧流动的速度，减少水池效应及蚀刻速率的差异性。

鉴于现有的“水池效应”问题的解决方案并不理想，为了提高上述金属掩膜版的产品质量，亟需寻求一种解决上述“水池效应”问题的新方案。

发明内容

为了解决在显影机、蚀刻机等蚀刻工艺用的设备中容易产生的“水池效应”问题，本发明提供了一种蚀刻线滚轮、蚀刻传送线及蚀刻装置。

本发明的蚀刻线滚轮包括：

轮轴；以及

若干轮片，所述的若干轮片间隔设置在所述的轮轴上，且相对于所述轮轴的中线对称分布；

并且，从所述轮轴的中线至其两端方向上的各所述轮片的直径依次递减。

进一步地，位于所述轮轴最中间的所述轮片为中心轮片，位于所述轮轴最外端的所述轮片为端部轮片；

中心轮片和与其位于轮轴中线同一侧的端部轮片，两者的轮缘顶点的连线与水平方向的夹角为θ，则θ≤1°。

进一步地，所述的中心轮片和与其位于轮轴中线同一侧的端部轮片，两者的轮缘顶点的连线与水平方向的夹角为θ，则0.5°≤θ≤0.6°。

进一步地，从所述轮轴的中线至其任意一端之间，各所述轮片的轮缘顶点位于同一圆弧线或斜线上。

进一步地，所述轮片的数量为偶数或者奇数。

进一步地，所述轮片的数量为奇数，且等间距分布。