[发明专利]半导体的离子溅射方法

权利要求书

1.一种半导体的离子溅射方法，其特征在于，包括：

将半导体放置于离子溅射仪的样品台上；

向所述离子溅射仪的真空腔内通入工作气体，使得所述真空腔达到预设真空度；

将所述离子溅射仪的靶台的方向调整至与所述离子溅射仪的离子源的离子束发射方向平行；

启动所述离子溅射仪；

在预设时间后，通入反应气体，并将所述靶台的方向调整至工作方向，以对所述半导体进行离子溅射。

2.如权利要求1所述的半导体的离子溅射方法，其特征在于，所述工作气体为惰性气体。

3.如权利要求2所述的半导体的离子溅射方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

4.如权利要求1所述的半导体的离子溅射方法，其特征在于，所述预设真空度为1.5×10^-1-2.5×10^-1pa。

5.如权利要求4所述的半导体的离子溅射方法，其特征在于，所述预设真空度为2×10^-1pa。

6.如权利要求1所述的半导体的离子溅射方法，其特征在于，所述工作方向满足以下条件：所述靶台上的靶材与所述离子源的离子束发射方向相交。

7.如权利要求6所述的半导体的离子溅射方法，其特征在于，所述工作方向还满足以下条件：所述靶材与所述样品台之间的角度小于90°。