[发明专利]半导体的离子溅射方法

说明书

本发明公开了一种半导体的离子溅射方法，包括：将半导体放置于离子溅射仪的样品台上；向所述离子溅射仪的真空腔内通入工作气体，使得所述真空腔达到预设真空度；将所述离子溅射仪的靶台的方向调整至与所述离子溅射仪的离子源的离子束发射方向平行；启动所述离子溅射仪；在预设时间后，通入反应气体，将所述靶台的方向调整至工作方向，以对所述半导体进行离子溅射。采用本发明实施例，能有效提高镀层质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体的离子溅射方法。

背景技术

在离子溅射结束后，离子溅射仪的真空腔内部会残留有一定量的反应气体，以氧气为例，若下一次离子溅射采用与氧气不同的反应气体，则残留的氧气也会对靶材进行刻蚀，进而形成氧化物杂质附着在半导体上，从而对镀层质量造成影响。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体的离子溅射方法，能有效提高镀层质量。

本发明一实施例提供一种半导体的离子溅射方法，包括：

将半导体放置于离子溅射仪的样品台上；

向所述离子溅射仪的真空腔内通入工作气体，使得所述真空腔达到预设真空度；

将所述离子溅射仪的靶台的方向调整至与所述离子溅射仪的离子源的离子束发射方向平行；

启动所述离子溅射仪；

在预设时间后，通入反应气体，将所述靶台的方向调整至工作方向，以对所述半导体进行离子溅射。

作为上述方案的改进，所述工作气体为惰性气体。

作为上述方案的改进，所述惰性气体为氩气。

作为上述方案的改进，所述预设真空度为1.5×10^-1-2.5×10^-1pa。

作为上述方案的改进，所述预设真空度为2×10^-1pa。

作为上述方案的改进，所述工作方向满足以下条件：所述靶台上的靶材与所述离子源的离子束发射方向相交。

作为上述方案的改进，所述工作方向还满足以下条件：所述靶材与所述样品台之间的角度小于90°。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

通过先将离子溅射仪的靶台的方向调整至与离子溅射仪的离子源的离子束发射方向平行，并使离子溅射仪运行一段时间，再通入反应气体，并将靶台的方向调整至工作方向，以对半导体进行离子溅射，能够在对半导体进行镀膜前先消耗掉上一次溅射残留的反应气体，防止上一次溅射残留的反应气体腐蚀靶材生成杂质，从而提高了镀层质量。

附图说明

图1是本发明一实施例提供的一种半导体的离子溅射方法的流程示意图；

图2是本发明一实施例提供的一种半导体的离子溅射方法的具体实施示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。