[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

分别在衬底上的第一器件区及第二器件区中形成第一堆叠结构及第二堆叠结构，所述第一堆叠结构及所述第二堆叠结构中的每一者包括多个第一半导体条带与多个第二半导体条带的交替堆叠，所述多个第一半导体条带及所述多个第二半导体条带分别包括第一半导体材料及第二半导体材料；

移除所述多个第一半导体条带，以在所述第一堆叠结构及所述第二堆叠结构二者中的所述多个第二半导体条带之间形成多个第一空隙；

在所述多个第一空隙中沉积第一介电结构层及第二介电结构层，以分别环绕所述第一堆叠结构及所述第二堆叠结构中的所述多个第二半导体条带；

在所述多个第一空隙中沉积第一导电填充材料，以分别环绕所述第一介电结构层及所述第二介电结构层；以及

在所述第一器件区中，移除所述多个第二半导体条带以在所述第一介电结构层的多个部分之间形成多个第二空隙，且在所述第一介电结构层的所述多个部分之间的所述多个第二空隙中沉积第三半导体材料；

由此所述第三半导体材料被配置成在所述第一器件区中形成一晶体管铁电随机存取存储器的沟道区、源极区及漏极区，所述第一导电填充材料被配置成形成所述一晶体管铁电随机存取存储器的栅极电极，且所述第一导电填充材料被配置成在所述第二器件区中形成全环绕栅极晶体管的栅极电极。

2.根据权利要求1所述的制作半导体器件的方法，其中移除所述多个第一半导体条带以形成所述多个第一空隙还包括：

移除所述多个第二半导体条带的多个部分以形成多个凹陷区；

在所述多个凹陷区中沉积介电材料；以及

使用所述多个凹陷区中的所述介电材料作为掩模来移除所述多个第一半导体条带，以在所述第一堆叠结构中的所述多个第二半导体条带之间形成所述多个第一空隙。

3.根据权利要求1所述的制作半导体器件的方法，其中沉积所述第一介电结构层以环绕所述多个第二半导体条带还包括：

沉积第一铁电材料层以环绕所多个述第二半导体条带。

4.一种制作半导体器件的方法，包括：

在衬底上的第一器件区中形成第一半导体层堆叠，所述第一半导体层堆叠包括多个第一半导体条带与多个第二半导体条带的交替堆叠，所述多个第一半导体条带及所述多个第二半导体条带分别包括第一半导体材料及第二半导体材料；

移除所述多个第一半导体条带，以在所述第一半导体层堆叠中的所述多个第二半导体条带之间形成多个第一空隙；

在所述多个第一空隙中沉积第一介电结构层以环绕所述多个第二半导体条带；

在所述多个第一空隙中沉积第一导电填充材料以环绕所述第一介电结构层及所述多个第二半导体条带；

移除所述多个第二半导体条带以在所述第一介电结构层的多个部分之间形成多个第二空隙；以及

在所述多个第二空隙中沉积第三半导体材料。

5.根据权利要求4所述的制作半导体器件的方法，还包括：

在所述衬底上的第二器件区中形成第二半导体层堆叠，所述第二半导体层堆叠包括多个第一半导体条带与多个第二半导体条带的交替堆叠；

移除所述多个第一半导体条带，以在所述第二半导体层堆叠中的所述多个第二半导体条带之间形成多个第二空隙；

沉积第二介电结构层以环绕所述多个第二半导体条带；以及

沉积所述第一导电填充材料以环绕所述第一介电结构层及所述多个第二半导体条带，

由此所述第一导电填充材料被配置成在所述第二器件区中形成晶体管器件的栅极电极。

6.根据权利要求5所述的制作半导体器件的方法，还包括：

沉积所述第一导电填充材料以环绕所述第一介电结构层及所述多个第一半导体条带；以及

沉积所述第三半导体材料以环绕所述第一介电结构层及所述多个第二半导体条带。