[发明专利]一种铁电场效应晶体管存储器件结构

权利要求书

1.一种铁电场效应晶体管存储器件结构，包括存储器件结构本体，其特征在于：所述存储器件结构本体包括壳体(1)、引脚(3)、压板(2)和防潮板(6)，所述壳体(1)的表面贴装有压板(2)，所述压板(2)的表面设置有信息标签(5)，所述壳体(1)的内部设置有防护层(19)，所述防护层(19)的底端设置有衬底(20)，所述壳体(1)的底端设置有绝缘柱(8)，所述绝缘柱(8)的底端贴装有防潮板(6)，所述壳体(1)的两侧连接有多个引脚(3)，所述引脚(3)的末端设置有焊板(4)，所述焊板(4)的中间设置有锡柱(12)，所述锡柱(12)的侧边连接有铜条(13)。

2.根据权利要求1所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述壳体(1)的表面涂抹有填充胶(21)，所述压板(2)通过填充胶(21)附着在壳体(1)的顶部。

3.根据权利要求1所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述信息标签(5)由卡块(17)和金属丝(18)组成，所述壳体(1)的表面通过激光雕刻的方式开设有卡槽一(15)，所述压板(2)的表面通过切割工艺开设有卡槽二(16)，所述卡槽二(16)位于卡槽一(15)的上方，两者相对齐，且卡槽二(16)的宽度小于卡槽一(15)的宽度。

4.根据权利要求3所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述卡块(17)通过将熔融的金属溶液从卡槽二(16)的顶部注入，并将卡槽一(15)和卡槽二(16)完全填充后静置冷却实现定型，所述金属丝(18)在卡块(17)原料溶液冷却前安装在顶部。

5.根据权利要求1所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述绝缘柱(8)的内部嵌装有针杆(11)，所述针杆(11)的顶部设置有凸板(10)，所述针杆(11)的底端设置有针头(9)。

6.根据权利要求5所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述针杆(11)和凸板(10)组合形成“T”型结构，所述针头(9)穿刺到外部所安装的电路板的表面。

7.根据权利要求1所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述防潮板(6)整体呈圆盘状结构，所述防潮板(6)主要采用三聚氰胺材料组成。

8.根据权利要求1所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述引脚(3)的前端贯穿了壳体(1)的侧边与内部衬底(20)的表面相连，所述引脚(3)和焊板(4)的内部由铜金属组成，且表面镀锡。

9.根据权利要求1所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述焊板(4)的中间开设有通孔(7)，所述通孔(7)的内壁上连接有多个铜条(13)，每个所述铜条(13)之间的间隔相同，并均以锡柱(12)为中心水平安装在周围。

10.根据权利要求1所述的一种铁电场效应晶体管存储器件结构，其特征在于：所述锡柱(12)的顶部设置有凹槽(14)，所述凹槽(14)呈弧形结构，所述锡柱(12)的底端与焊板(4)的底部相齐平，所述锡柱(12)的顶部凸出于焊板(4)的表面。