[发明专利]一种铁电场效应晶体管存储器件结构

说明书

本发明提供一种铁电场效应晶体管存储器件结构，包括存储器件结构本体，所述存储器件结构本体包括壳体、引脚、压板和防潮板，所述壳体的表面贴装有压板，所述压板的表面设置有信息标签，所述壳体的内部设置有防护层，所述防护层的底端设置有衬底，所述壳体的底端设置有绝缘柱，所述绝缘柱的底端贴装有防潮板，所述壳体的两侧连接有多个引脚，所述引脚的末端设置有焊板，所述焊板的中间设置有锡柱，所述锡柱的侧边连接有铜条，所述壳体的表面涂抹有填充胶，所述压板通过填充胶附着在壳体的顶部，该铁电场效应晶体管存储器件结构具有高效的防伪防篡改功能，焊装时更加快捷精准，引脚安装更加统一稳固，具有一定的防潮效果。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体为一种铁电场效应晶体管存储器件结构。

背景技术

铁电场效应晶体管存储器具有集成度高、读写速度快、低功耗、与CMOS工艺有良好的兼容性等优点，相比于电容结构的铁电随机存储器，其结构更简单，集成度更高；因此铁电场效应晶体管存储器被广泛认为是下一代存储器中最有潜力的存储器之一。

现有的铁电场效应晶体管存储器在封装时需要在壳体表面刻蚀上标签，刻蚀方式多采用激光雕刻，但是一些商家或者私人为了谋取更大的利益，会将表面刻蚀的标签进行篡改，以便伪造出更高级的芯片进行售卖，常规的标签刻蚀方式缺乏防伪性，更无法对该类行为进行阻止，另一方面，对铁电场效应晶体管存储器进行焊接时，引脚部分数量繁多，焊接的质量好坏直接影响到后期的使用寿命，现有的焊接方式会对引脚焊板部分产生形变，且形变量无法控制，因此焊接质量难以统一。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种铁电场效应晶体管存储器件结构，以解决上述背景技术中提出的问题,本发明具有高效的防伪防篡改功能，焊装时更加快捷精准，引脚安装更加统一稳固，具有一定的防潮效果。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种铁电场效应晶体管存储器件结构，包括存储器件结构本体，所述存储器件结构本体包括壳体、引脚、压板和防潮板，所述壳体的表面贴装有压板，所述压板的表面设置有信息标签，所述壳体的内部设置有防护层，所述防护层的底端设置有衬底，所述壳体的底端设置有绝缘柱，所述绝缘柱的底端贴装有防潮板，所述壳体的两侧连接有多个引脚，所述引脚的末端设置有焊板，所述焊板的中间设置有锡柱，所述锡柱的侧边连接有铜条。

本实施例，所述壳体的表面涂抹有填充胶，所述压板通过填充胶附着在壳体的顶部。

本实施例，所述信息标签由卡块和金属丝组成，所述壳体的表面通过激光雕刻的方式开设有卡槽一，所述压板的表面通过切割工艺开设有卡槽二，所述卡槽二位于卡槽一的上方，两者相对齐，且卡槽二的宽度小于卡槽一的宽度。

本实施例，所述卡块通过将熔融的金属溶液从卡槽二的顶部注入，并将卡槽一和卡槽二完全填充后静置冷却实现定型，所述金属丝在卡块原料溶液冷却前安装在顶部。

本实施例，所述绝缘柱的内部嵌装有针杆，所述针杆的顶部设置有凸板，所述针杆的底端设置有针头。

本实施例，所述针杆和凸板组合形成“T”型结构，所述针头穿刺到外部所安装的电路板的表面。

本实施例，所述防潮板整体呈圆盘状结构，所述防潮板主要采用三聚氰胺材料组成。

本实施例，所述引脚的前端贯穿了壳体的侧边与内部衬底的表面相连，所述引脚和焊板的内部由铜金属组成，且表面镀锡。

本实施例，所述焊板的中间开设有通孔，所述通孔的内壁上连接有多个铜条，每个所述铜条之间的间隔相同，并均以锡柱为中心水平安装在周围。

本实施例，所述锡柱的顶部设置有凹槽，所述凹槽呈弧形结构，所述锡柱的底端与焊板的底部相齐平，所述锡柱的顶部凸出于焊板的表面。