[发明专利]集成电路结构及其布局图的生成方法在审
申请号: | 202210083545.8 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114520225A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 彭士玮;萧志民;张景旭;曾健庭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 结构 及其 布局 生成 方法 | ||
1.一种集成电路(IC)布局图的生成方法,所述方法包括:
获得对应于相邻金属层的交叉的第一多个轨道和第二多个轨道的网格;
确定相应的所述第一多个轨道和所述第二多个轨道的符合第一规则的第一节距和第二节距;
将通孔定位图案应用于所述网格,从而将通孔区域限制于交替的对角网格线;
在所述交替的对角网格线的网格交叉点的一些或所有处定位所述通孔区域;以及
生成包括沿所述交替的对角网格线定位的所述通孔区域的所述集成电路布局图。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,确定相应的所述第一多个轨道和所述第二多个轨道的所述第一节距和所述第二节距符合所述第一规则包括确定所述第一节距和所述第二节距中的至少一个小于最小通孔间隔规则。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,相应的所述第一多个轨道和所述第二多个轨道的所述第一节距和所述第二节距符合所述第一规则包括确定所述第一节距和所述第二节距中较大的一个与所述第一节距和所述第二节距中较小的一个的比率小于
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一节距大于所述第二节距。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一节距对应于第一方向,并且所述第二节距对应于垂直于所述第一方向的单元高度方向。
6.一种集成电路(IC)结构,包括:
多个第一金属段,位于半导体衬底的第一金属层中,所述多个第一金属段对应于第一轨道;
多个第二金属段,位于所述半导体衬底的与所述第一金属层相邻的第二金属层中,所述多个第二金属段对应于垂直于所述第一轨道的第二轨道;以及
多个通孔结构,被配置为将所述多个第一金属段电连接到所述多个第二金属段,
其中,
所述第一轨道和所述第二轨道的交叉位置限定了包括与第二多个对角网格线交替的第一多个对角网格线的网格,
所述第一多个对角网格线包括所述多个通孔结构中位于连续交叉位置的至少三个通孔结构,以及
所述第二多个对角网格线不包括所述多个通孔结构中的通孔结构。
7.根据权利要求6所述的集成电路结构,其中
所述第一轨道具有第一个节距,
所述第二轨道具有第二个节距,以及
所述第一节距与所述第二节距的比值小于
8.一种制造集成电路的多个通孔结构的方法,所述方法包括:
提供一种集成电路(IC)光掩模,所述集成电路光掩模包括沿网格的交替对角网格线定位的通孔部件和辅助部件;
将所述集成电路光掩模与半导体衬底的第一金属层的金属段对准,所述金属段具有对应于所述网格的第一节距的间隔;
执行一个或多个包括所述集成电路光掩模的光刻工艺,从而限定与所述通孔部件对应的通孔结构位置;以及
在限定的所述通孔结构位置处形成通孔结构。
9.根据权利要8所述的方法,其中
所述网格的所述交替对角网格线对应于具有相应的第一节距和第二节距的第一多个金属线和第二多个金属线的交叉点,
所述第一节距大于所述第二节距,以及
所述第一节距与所述第二节距的比值小于
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述辅助部件的每个是亚分辨率辅助部件(SRAF)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的