[发明专利]一种用于外延生长的尾气颗粒物脱除处理装置及方法有效

专利信息
申请号: 202210083930.2 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114405202B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 蒋彪;朱佰喜;薛抗美;邹明舊;蒋旭霞 申请(专利权)人: 东莞市志橙半导体材料有限公司
主分类号: B01D50/20 分类号: B01D50/20;B01D45/16;B01D45/18;B01J8/02;B01J19/14
代理公司: 深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙) 44850 代理人: 刘临利
地址: 523000 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 外延 生长 尾气 颗粒 脱除 处理 装置 方法
【说明书】:

发明公开了一种用于外延生长的尾气颗粒物脱除处理装置及方法,该处理装置包括:旋风分离器;旋风分离器的侧壁开设有进气口,顶部开设有出气口,底部开设有排灰口;进气口通过第一管道与反应炉的尾气出口连接,出气口通过第二管道与真空泵尾气进口连接;旋风分离器的内部横向固定连接有除尘风筒,除尘风筒位于进气口的上方,除尘风筒的底部开设有通孔,除尘风筒的侧壁上开设有若干出风孔;旋风分离器的内部固定连接有初滤网,初滤网位于所述除尘风筒的正上方。在本发明中,大部分的颗粒物会在旋风分离当中被除尘风筒截留下来,落入积灰仓达到分离效果,微小颗粒物则在初滤网当中被拦截,以此确保过滤效果,过滤装置不易堵塞,减少维护频次。

技术领域

本发明涉及半导体外延生长设备领域,特别涉及一种用于外延生长的尾气颗粒物脱除处理装置及方法。

背景技术

化学气相沉积(CVD)技术是一种新型的材料制备方法,它可以用于制备各种粉体材料、块体材料、新晶体材料、陶瓷纤维、半导体及金刚石薄膜等多种类型的材料,广泛应用于宇航工业上的特殊复合材料、原子反应堆材料、刀具材料、耐热耐磨耐腐蚀及生物医用材料等领域。同传统材料制备技术相比,CVD 技术具有以下优点:(1)可以在远低于材料熔点的温度进行材料合成;(2)可以控制合成材料的元素组成、晶体结构、微观形貌(粉末状、纤维状、枝状、管状、块状等);(3)不需要烧结助剂,可以高纯度合成高密度材料;(4)可以实现材料结构微米级、亚微米级甚至纳米级控制;(5)能够进行复杂形状结构件及图层的制备;(6)能够制备梯度复合材料及梯度涂层和多层涂层;(7)能够进行亚稳态物质及新材料的合成。目前,CVD 已成为大规模集成电路的铁电材料、绝缘材料、磁性材料、光电子材料、高温热结构陶瓷基复合材料及纳米粉体材料不可或缺的制备技术。

在碳化硅外延生长CVD的过程中,由于原料、保温材料石墨毡、CVD基材等含有的金属元素化合物杂质,在高温还原气氛下被还原为活性金属颗粒,随着副反应生成氯硅烷的高聚物、碳粉以及其他颗粒物杂质流出反应炉,进入真空泵,对泵体正常运行产生不良影响,此类混合颗粒物具有一定的粘性,易黏附于管壁以及阀门接口处堵塞管路和阀门,造成安全隐患。

发明内容

为了解决现有技术的问题,本发明提供了一种用于外延生长的尾气颗粒物脱除处理装置及方法。

一方面,提供了一种用于外延生长的尾气颗粒物脱除处理装置,所述处理装置包括:旋风分离器;

所述旋风分离器的侧壁开设有进气口,顶部开设有出气口,底部开设有排灰口;

所述进气口通过第一管道与反应炉的尾气出口连接,所述出气口通过第二管道与真空泵尾气进口连接;

所述旋风分离器的内部横向固定连接有除尘风筒,所述除尘风筒位于所述进气口的上方,所述除尘风筒的底部开设有通孔,所述除尘风筒的侧壁上开设有若干出风孔;

所述旋风分离器的内部固定连接有初滤网,所述初滤网位于所述除尘风筒的正上方。

进一步地,所述出风孔位于所述除尘风筒的上部。

进一步地,所述除尘风筒的两端均开设有开口,且所述除尘风筒的一端与所述旋风分离器的内壁固定连接,所述除尘风筒的另一端与所述旋风分离器的内壁留有间隙。

进一步地,所述除尘风筒与所述旋风分离器的内壁留有间隙的一端活动连接有调风板;

所述旋风分离器的外侧底部固定连接有步进电机,所述步进电机旋转轴穿过所述旋风分离器的底部与所述调风板固定连接。

进一步地,所述旋风分离器的内壁上开设有凹槽,所述凹槽与所述除尘风筒远离所述调风板的一侧位置对应,

所述凹槽内通过转轴活动连接有叶轮,所述叶轮的叶片上均开设有工作孔;

所述旋风分离器的侧壁内开设有进气孔,所述进气孔与所述凹槽连通。

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