[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底的正面形成第一类型外延层与第二类型外延层的堆叠件，所述第一类型外延层与所述第二类型外延层具有不同的材料组分，所述第一类型外延层与第二类型外延层在竖直方向上交替设置；

对所述堆叠件进行图案化以形成鳍状结构；

在所述鳍状结构的侧壁上沉积介电层；

使所述介电层凹陷以暴露所述鳍状结构的顶部部分，其中，凹陷的所述介电层的顶面位于所述堆叠件的底面上方；

在所述鳍状结构的所述顶部部分上方形成栅极结构；

从所述半导体衬底的背面蚀刻所述半导体衬底，从而在所述介电层之间形成沟槽，所述沟槽暴露所述堆叠件的所述底面；以及

穿过所述沟槽蚀刻至少最底第一类型外延层和最底第二类型外延层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述最底第一类型外延层位于所述最底第二类型外延层下方，并且其中，凹陷的所述介电层的所述顶面位于所述最底第一类型外延层的顶面上方。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，凹陷的所述介电层的所述顶面位于所述最底第二类型外延层的顶面下方。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极结构是金属栅极结构，并且其中，所述蚀刻至少所述最底第一类型外延层和所述最底第二类型外延层在所述形成所述栅极结构之后发生。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述形成所述栅极结构之前，从所述鳍状结构的所述顶部部分去除所述第一类型外延层，

其中，在所述形成所述栅极结构之后，所述栅极结构在所述鳍状结构的所述顶部部分中环绕所述第二类型外延层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述形成所述栅极结构之后，所述最底第二类型外延层具有与所述栅极结构交接的顶面和与所述最底第一类型外延层交接的底面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻至少所述最底第一类型外延层和所述最底第二类型外延层包括从所述沟槽完全去除所述最底第一类型外延层并部分去除所述最底第二类型外延层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻至少所述最底第一类型外延层和所述最底第二类型外延层包括蚀刻多个第二类型外延层。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底的第一区上方形成第一多个沟道构件，所述第一多个沟道构件竖直堆叠；

在衬底的第二区上方形成第二多个沟道构件，所述第二多个沟道构件竖直堆叠；

在所述第一区和所述第二区中形成隔离部件，其中，所述隔离部件的顶面在所述第二区中高于在所述第一区中，使得所述第二多个沟道部件的部分在所述第二区中位于所述隔离部件的所述顶面下方；

形成与所述第一多个沟道构件接合的第一栅极结构，从而在所述第一区中形成第一晶体管；

形成与所述第二多个沟道构件接合的第二栅极结构，从而在所述第二区中形成第二晶体管；以及

从所述第二区去除所述第二多个沟道构件的所述部分，使得所述第一晶体管中的所述第一多个沟道构件的数量大于所述第二晶体管中的所述第二多个沟道构件的数量。

10.一种半导体器件，包括：

第一栅极结构，与第一多个沟道构件接合；

第二栅极结构，与第二多个沟道构件接合；

第一背面介电部件，直接设置在所述第一栅极结构下方；以及

第二背面介电部件，直接设置在所述第二栅极结构下方，

其中，所述第一多个沟道构件的数量大于所述第二多个沟道构件的数量。