[发明专利]一种光学相位控制显示器件有效
申请号: | 202210085731.5 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114355681B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 荣誉东;霍英东 | 申请(专利权)人: | 南昌虚拟现实研究院股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 何世磊 |
地址: | 330000 江西省南昌市红谷*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 相位 控制 显示 器件 | ||
1.一种光学相位控制显示器件,包括上基板、下基板和设于所述上基板与所述下基板之间的液晶层,所述下基板包括下钝化层和多个第一像素电极及第二像素电极,所述下钝化层包括相对的第一表面及第二表面,多个所述第一像素电极嵌设于所述第一表面,多个所述第二像素电极嵌设于所述第二表面,且所述第一像素电极与所述第二像素电极相互交错设置;其特征在于,所述上基板包括上玻璃基板和自所述上玻璃基板朝向所述液晶层一侧设置的补偿结构;
其中,所述补偿结构包括上钝化层和多个第一补偿电极及第二补偿电极,所述上钝化层包括相对的第三表面及第四表面,多个所述第一补偿电极嵌设于所述第三表面,多个所述第二补偿电极嵌设于所述第四表面,且所述第一补偿电极和所述第二补偿电极相互交错设置;其中,所述第一补偿电极与所述第一像素电极对应设置,且所述第一补偿电极在所述下钝化层的投影大小与所述第一像素电极相等或者两者误差小于1%;所述第二补偿电极与所述第二像素电极对应设置,且所述第二补偿电极在所述下钝化层的投影大小与所述第二像素电极相等或者两者误差小于1%;所述第一补偿电极与所述第一像素电极的间距与所述第二补偿电极与所述第二像素电极间距相一致,通过对所述第一补偿电极及所述第二补偿电极分别控制写入电压信号,利用两者的电压差,来补偿所述第一像素电极相比所述第二像素电极因所述下钝化层产生的相位差。
2.根据权利要求1所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述第一补偿电极呈矩形阵列分布,所述第二补偿电极正对两个相邻的所述第一补偿电极之间的空隙设置。
3.根据权利要求1所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述下基板还包括下玻璃基板和自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的薄膜晶体管结构和有机平坦层;
其中,所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、介质层、第二金属层;所述有机平坦层背离所述液晶层的一侧覆盖所述第二金属层。
4.根据权利要求3所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述多晶硅层包括与所述第一像素电极对应设置的第一薄膜晶体管的半导体层和与所述第二像素电极对应设置的第二薄膜晶体管的半导体层;其中,所述第一薄膜晶体管用于控制所述第一像素电极上的电压,所述第二薄膜晶体管用于控制所述第二像素电极上的电压。
5.根据权利要求4所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述第一金属层包括与所述第一像素电极对应设置的第一栅极、第一公共电极,以及与所述第二像素电极对应设置的第二栅极、第二公共电极。
6.根据权利要求5所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述第二金属层包括与所述第一像素电极对应设置的第一源极、第一漏极,以及与所述第二像素电极对应设置的第二源极、第二漏极;
其中,所述第一栅极设置于所述第一源极及所述第一漏极之间,所述第二栅极设置于所述第二源极及所述第二漏极之间;所述第一漏极与所述第一公共电极的交叠区域形成第一存储电容,所述第二漏极与所述第二公共电极的交叠区域形成第二存储电容。
7.根据权利要求6所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述第一像素电极通过引脚穿过所述有机平坦层与所述第一漏极电性连接,且所述第二像素电极通过引脚穿过所述有机平坦层与所述第二漏极电性连接;所述第一源极及所述第一漏极通过引脚穿过所述介质层、所述第一金属层、所述栅极绝缘层与所述第一薄膜晶体管的半导体层电性连接,且所述第二源极及所述第二漏极通过引脚穿过所述介质层、所述第一金属层、所述栅极绝缘层与所述第二薄膜晶体管的半导体层电性连接。
8.根据权利要求3所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述上钝化层、所述下钝化层、所述栅极绝缘层和所述介质层材料皆为二氧化硅或氮化硅。
9.根据权利要求1所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述液晶层朝向所述上基板及所述下基板的表面分别设有液晶配向层。
10.根据权利要求1~9任一项所述的光学相位控制显示器件,其特征在于,所述第一像素电极的电压高于所述第二像素电极的电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌虚拟现实研究院股份有限公司,未经南昌虚拟现实研究院股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210085731.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。