[发明专利]冗余填充方法、冗余填充装置以及电子设备在审

专利信息
申请号: 202210085741.9 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114492287A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 李阳;沈晶晶;姜鹏 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;G06F30/398;G06F115/12;G06F119/18
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 熊恒定
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 冗余 填充 方法 装置 以及 电子设备
【说明书】:

发明实施例提供一种冗余填充方法、冗余填充装置以及电子设备,冗余填充方法包括:提供第一电路版图;获取第一电路版图上的第一目标版图,以在第一目标版图上填充冗余图形;根据填充有冗余图形的第一目标版图确定第一电路版图上的第二目标版图;在第二目标版图上填充冗余图形。本发明实施例通过保证第一电路版图中的关键区域上都填充有相同的冗余图形,从而避免了电路版图上的关键区域可能会出现填充偏移的现象。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种冗余填充方法、冗余填充装置以及电子设备。

背景技术

在集成电路芯片的设计过程中,在完成时序和功能收敛后,会进入到可制造性设计DFM(Design For Manufacture)阶段,此时芯片电路版图上的图形布线并不均匀,因此需要对芯片的表面进行平坦化工艺来改善图形布线的均匀性,可平坦化工艺中又会给芯片带来蝶形缺陷和侵蚀缺陷。

在相关工艺中,一般采用冗余填充的方式来避免平坦化工艺给芯片带来上述缺陷,例如,将电路版图划分为若干个位置相对固定的网格并进行填充,导致电路版图上的关键区域可能会出现填充偏移的现象,使得相应设计的可制造性受到影响。

发明内容

本发明实施例提供了一种冗余填充方法、冗余填充装置以及电子设备,旨在至少部分解决冗余填充方式容易导致电路版图上的关键区域上出现填充偏移的问题。

本发明实施例提供一种冗余填充方法,包括:提供第一电路版图;获取所述第一电路版图上的第一目标版图,以在所述第一目标版图上填充冗余图形;根据填充有所述冗余图形的所述第一目标版图确定所述第一电路版图上的第二目标版图;在所述第二目标版图上填充所述冗余图形。

其中,所述获取所述第一电路版图上的第一目标版图,以在所述第一目标版图上填充冗余图形,包括:扫描所述第一电路版图以获取所述第一目标版图;确定所述第一目标版图中的待填充区域以及填充方案;根据所述填充方案在所述待填充区域上填充所述冗余图形。

其中,所述确定所述第一目标版图中的待填充区域以及填充方案,包括:获取所述第一目标版图中的图形密度;根据所述图形密度确定所述待填充区域以及所述填充方案。

其中,所述根据填充有所述冗余图形的所述第一目标版图确定所述第一电路版图上的第二目标版图,包括:根据所述第一目标版图获取所述第一电路版图上的全部的所述第一目标版图;将所述第一目标版图与所述冗余图形合并;以所述冗余图形为标记图形,从全部的所述第一目标版图中筛选出未填充有所述冗余图形的所述第一目标版图,以确定所述第二目标版图。

其中,所述在所述第二目标版图上填充所述冗余图形之后,还包括:合并所有与所述冗余图形对应的所述标记图形以形成标记层;将所述标记层与所述第一电路版图合并以生成第二电路版图。

其中,所述将所述标记层与所述第一电路版图合并以生成第二电路版图之后,还包括:对所述第二电路版图进行设计规则检查。

其中,所述对所述第二电路版图进行设计规则检查之后,还包括:将所述第二电路版图中违反设计规则的所述冗余图形去除。

其中,所述填充方案包括如下至少一种:所述冗余图形的线宽、所述冗余图形的形状和所述冗余图形的布局。

本发明实施例提供一种电子设备,所述电子设备包括一个或多个存储器以及一个或多个处理器,所述一个或多个存储器存储有计算机可执行程序,所述计算机可执行程序被所述一个或多个处理器调用时,执行如上述所述的冗余填充方法。

本发明实施例还提供一种冗余填充装置,包括:提供模块,用于提供第一电路版图;获取模块,用于获取所述第一电路版图上的第一目标版图,以在所述第一目标版图上填充冗余图形;确定模块,用于根据填充有所述冗余图形的所述第一目标版图确定所述第一电路版图上的第二目标版图;填充模块,用于在所述第二目标版图上填充所述冗余图形。

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