[发明专利]InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种InGaN基红光发光二极管芯片，其特征在于，所述InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板(10)、发光结构(20)和平坦层(30)；

所述平坦层(30)包括依次层叠的氮化硅层(310)和多个复合层(320)，所述氮化硅层(310)位于所述发光结构(20)远离所述基板(10)的表面，所述复合层(320)包括交替层叠的第一氧化硅层(321)和第二氧化硅层(322)，所述第一氧化硅层(321)的沉积温度高于所述第二氧化硅层(322)的沉积温度。

2.根据权利要求1所述的InGaN基红光发光二极管芯片，其特征在于，所述第一氧化硅层(321)远离所述氮化硅层(310)的表面包括进行过激光照射的第一激光照射区(330)和未进行过激光照射的第一非照射区(331)，所述第二氧化硅层(322)远离所述氮化硅层(310)的表面包括进行过激光照射的第二激光照射区(340)和未进行过激光照射的第二非照射区(341)；

所述第一激光照射区(330)在所述基板(10)上的正投影与所述第二非照射区(341)在所述基板(10)上的正投影重合，所述第二激光照射区(340)在所述基板(10)上的正投影与所述第一非照射区(331)在所述基板(10)上的正投影重合。

3.根据权利要求2所述的InGaN基红光发光二极管芯片，其特征在于，所述第一激光照射区(330)和所述第一非照射区(331)均为矩形，且所述第一激光照射区(330)和所述第一非照射区(331)沿所述第一氧化硅层(321)远离所述氮化硅层(310)的表面的边缘交替排列。

4.根据权利要求1至3任一项所述的InGaN基红光发光二极管芯片，其特征在于，所述氮化硅层(310)的厚度为80埃至200埃，各所述复合层(320)中，所述第一氧化硅层(321)的厚度为4000埃至6000埃，所述第二氧化硅层(322)的厚度为4000埃至6000埃。

5.根据权利要求1至3任一项所述的InGaN基红光发光二极管芯片，其特征在于，所述InGaN基红光发光二极管芯片还包括：钝化层、第一焊点块(27)和第二焊点块(28)；

所述钝化层位于所述发光结构(20)上，所述钝化层上具有第一通孔(41)和第二通孔(42)，所述第一通孔(41)露出所述发光结构(20)的第一电极(25)，所述第二通孔(42)露出所述发光结构(20)的第二电极(26)；

所述第一焊点块(27)位于所述第一通孔(41)内，且通过所述第一通孔(41)延伸至所述第一电极(25)，所述第二焊点块(28)位于所述第二通孔(42)内，且通过所述第二通孔(42)延伸至所述第二电极(26)。

6.一种InGaN基红光发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成发光结构和平坦层，所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的沉积温度大于250℃，所述第二氧化硅层的沉积温度为200℃至250℃。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硅层的沉积温度与所述第一氧化硅的沉积温度相同。