[发明专利]InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板、发光结构和平坦层；所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。本公开实施例能改善平坦层冷热影响下产生裂痕的问题，增强芯片阻挡水汽的性能，提升芯片的耐用性。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是指边长在10μm至100μm的超小发光二极管，微型发光二极管的体积小，可以更密集的设置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。

相关技术中，InGaN基红光发光二极管芯片通常包括基板、发光结构、缓冲层、钝化层和两个焊点块，发光结构、平坦层依次层叠于基板的表面，平坦层具有露出发光结构中两个电极的两个过孔，两个焊点块分别位于两个过孔内，且通过两个过孔别与发光结构中的两个电极电性连接。

然而，平坦层在冷热影响下容易产生裂痕，影响芯片阻挡水汽的性能，降低芯片的耐用性。

发明内容

本公开实施例提供了一种InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法，能改善平坦层冷热影响下产生裂痕的问题，增强芯片阻挡水汽的性能，提升芯片的耐用性。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，所述InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板、发光结构和平坦层；所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。

可选地，所述第一氧化硅层远离所述氮化硅层的表面包括进行过激光照射的第一激光照射区和未进行过激光照射的第一非照射区，所述第二氧化硅层远离所述氮化硅层的表面包括进行过激光照射的第二激光照射区和未进行过激光照射的第二非照射区；所述第一激光照射区在所述基板上的正投影与所述第二非照射区在所述基板上的正投影重合，所述第二激光照射区在所述基板上的正投影与所述第一非照射区在所述基板上的正投影重合。

可选地，所述第一激光照射区和所述第一非照射区均为矩形，且所述第一激光照射区和所述第一非照射区沿所述第一氧化硅层远离所述氮化硅层的表面的边缘交替排列。

可选地，所述氮化硅层的厚度为80埃至200埃，各所述复合层中，所述第一氧化硅层的厚度为4000埃至6000埃，所述第二氧化硅层的厚度为4000埃至6000埃。

可选地，所述InGaN基红光发光二极管芯片还包括：钝化层、第一焊点块和第二焊点块；所述钝化层位于所述发光结构上，所述钝化层上具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔露出所述发光结构的第一电极，所述第二通孔露出所述发光结构的第二电极；所述第一焊点块位于所述第一通孔内，且通过所述第一通孔延伸至所述第一电极，所述第二焊点块位于所述第二通孔内，且通过所述第二通孔延伸至所述第二电极。

另一方面，本公开实施例还提供了一种的制备方法，所述制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成发光结构和平坦层，所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。

可选地，所述第一氧化硅层的沉积温度大于250℃，所述第二氧化硅层的沉积温度为200℃至250℃。