[发明专利]存储器电路和执行编程操作的方法

权利要求书

1.一种存储器电路，包括：

第一组非易失性存储器器件；

第一多个解码器，其中，所述第一多个解码器中的每个解码器被配置为生成与所述第一组非易失性存储器器件的列对应的使能信号；

第一多个高压驱动器，对应于所述第一多个解码器；以及

第一多个高压电源开关，其中，所述第一多个高压电源开关中的第一高压电源开关耦合到所述第一多个高压驱动器中的每个高压驱动器，

其中，所述第一多个高压驱动器中的每个高压驱动器被配置为响应于所述第一多个高压电源开关中的第一高压电源开关的电源信号和所述第一多个解码器中的对应解码器的使能信号，将高压激活信号输出到所述第一组非易失性存储器器件的对应列。

2.根据权利要求1所述的存储器电路，还包括：

第二组非易失性存储器器件；

第二多个高压驱动器，对应于所述第一多个解码器；以及

第二多个高压电源开关，其中，所述第二多个高压电源开关中的第一高压电源开关耦合到所述第二多个高压驱动器中的每个高压驱动器，

其中

所述第一多个解码器中的每个解码器被配置为生成进一步与所述第二组非易失性存储器器件的列对应的使能信号，并且

所述第二多个高压驱动器中的每个高压驱动器被配置为响应于所述第二多个高压电源开关中的第一高压电源开关的电源信号和所述第一多个解码器中的对应解码器的使能信号，将高压激活信号输出到所述第二组非易失性存储器器件的对应列。

3.根据权利要求1所述的存储器电路，还包括：

第二组非易失性存储器器件；

第二多个解码器，其中，所述第二多个解码器中的每个解码器被配置为生成与所述第二组非易失性存储器器件的列对应的使能信号；

第二多个高压驱动器，对应于所述第二多个解码器；以及

第二多个高压电源开关，其中，所述第二多个高压电源开关中的第一高压电源开关耦合到所述第二多个高压驱动器中的每个高压驱动器，

其中，所述第二多个高压驱动器中的每个高压驱动器被配置为响应于所述第二多个高压电源开关中的第一高压电源开关的电源信号和所述第二多个解码器中的对应解码器的使能信号，将高压激活信号输出到所述第二组非易失性存储器器件的对应列。

4.根据权利要求1所述的存储器电路，其中：

所述第一多个高压驱动器是多个的多个高压驱动器之一，并且

所述第一多个高压电源开关中的每个高压电源开关耦合到所述多个的多个高压驱动器中的对应多个高压驱动器中的每个高压驱动器。

5.根据权利要求1所述的存储器电路，还包括：

全局高压电源开关，被配置为生成高压电源信号，

其中，所述第一多个高压电源开关中的每个高压电源开关被配置为基于所述高压电源信号生成所述电源信号和接地信号。

6.根据权利要求5所述的存储器电路，其中：

所述第一多个高压电源开关中的每个高压电源开关包括电平检测器，被配置为响应于所述高压电源信号的电压电平将所述接地信号从接地电压电平切换到中间电压电平。

7.根据权利要求5所述的存储器电路，其中：

所述第一多个高压电源开关中的每个高压电源开关包括延迟电路，被配置为响应于高压使能信号将所述接地信号从接地电压电平切换到中间电压电平。

8.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一组非易失性存储器器件的每个非易失性存储器器件包括一次可编程(OTP)位，每个一次可编程位包括：

编程晶体管，被配置为从所述第一多个高压驱动器中的对应高压驱动器接收所述高压激活信号；和

读取晶体管，被配置为基于所述第一多个解码器中的对应解码器的使能信号接收激活信号。