[发明专利]一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片在审
申请号: | 202210092446.6 | 申请日: | 2022-01-26 |
公开(公告)号: | CN114550771A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 谢元禄;习凯;张锋;张坤;呼红阳;霍长兴;卢年端 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王玉璇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 存储 控制 方法 电路 芯片 | ||
1.一种阻变存储器的存储控制方法,其特征在于,包括:
利用写操作脉冲信号,对阻变存储器的目标存储单元执行写操作;
判断所述写操作是否成功,若所述写操作失败,则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器的存储控制方法,其特征在于,所述判断所述写操作是否成功,包括:
获取所述目标存储单元内被写入的实际数据,以及获取所述写操作的目标数据对应的目标范围;
判断所述实际数据是否落入所述目标范围内,若所述实际数据未落入所述目标范围内,则判定所述写操作失败。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器的存储控制方法,其特征在于,若所述写操作失败,则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值,包括:
若所述写操作失败,则判断所述写操作对应的循环时长是否超时;
若所述写操作对应的循环时长未超时,则调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值;
若所述写操作对应的循环时长已经超时,则确定所述目标存储单元的寿命耗尽。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器的存储控制方法,其特征在于,所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前,包括:
获取所述目标存储单元的存储特性参数;
所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值,包括:
根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值。
5.根据权利要求4所述的阻变存储器的存储控制方法,其特征在于,所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前,包括:
获取脉冲调节参数;
根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,在所述脉冲调节参数中选择目标脉冲参数;
按照所述目标脉冲参数,调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。
6.根据权利要求5所述的阻变存储器的存储控制方法,其特征在于,所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值,包括:
根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值;或,
根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,减小所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值;或,
根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长,以及减少所述写操作脉冲信号的所述脉冲幅值;或,
根据所述目标存储单元的所述存储特性参数,减小所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长,以及增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲幅值。
7.一种阻变存储器的存储控制电路,其特征在于,包括:
存储控制状态机,用于控制执行如权利要求1-6中任一项所述的阻变存储器的存储控制方法的步骤。
8.根据权利要求7所述的阻变存储器的存储控制电路,其特征在于,还包括:
数据传输接口,用于向所述存储控制状态机传输目标数据;
脉冲参数提供模块,用于向所述存储控制状态机提供脉冲调节参数。
9.根据权利要求8所述的阻变存储器的存储控制电路,其特征在于,所述脉冲参数提供模块包括:
配置数据接口,用于连接外部数据总线,所述配置数据接口用于通过所述外部数据总线向所述存储控制状态机传输所述脉冲调节参数;
非易失存储器,用于存储所述脉冲调节参数;
所述存储控制状态机通过多路选择器分别与所述配置数据接口和所述非易失存储器电连接。
10.一种存储芯片,其特征在于,包括:
阻变存储器和如权利要求7-9中任一项所述的阻变存储器的存储控制电路,所述阻变存储器的存储控制电路与所述阻变存储器电连接。
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